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文献类型

  • 2篇科技成果
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇芯片
  • 2篇封装
  • 1篇电桥
  • 1篇电阻
  • 1篇镀铜
  • 1篇堆叠
  • 1篇多芯片
  • 1篇双臂电桥
  • 1篇芯片封装
  • 1篇抗氧化
  • 1篇厚度
  • 1篇

机构

  • 3篇天水华天科技...

作者

  • 3篇雷育恒
  • 3篇李习周
  • 2篇慕蔚
  • 2篇成军
  • 1篇周朝峰
  • 1篇代赋
  • 1篇刘定斌
  • 1篇温莉珺
  • 1篇王永忠
  • 1篇王治文
  • 1篇杨杰
  • 1篇安飞
  • 1篇张红卫
  • 1篇王婷
  • 1篇周建国
  • 1篇徐冬梅
  • 1篇杨千栋
  • 1篇张胡军
  • 1篇郑志全
  • 1篇王晓春

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 3篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响被引量:2
2013年
采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻,在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现,在氧浓度≤0.1%的氮气保护环境中,经过180℃烘烤60min后,裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60min后的氧化程度;镀铜层能有效提高裸铜框架在100-180℃范围内的抗氧化能力,镀铜层较厚(1.0岬)的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄(0.5岬)的裸铜框架的抗氧化能力。
张胡军张进兵安飞雷育恒温莉刘殿龙李习周
关键词:双臂电桥电阻
高密度窄间距铜线键合封装技术研发
朱文辉李习周王晓春杨杰马利雷育恒慕蔚张易勒张红卫杨千栋万军红成军郑志全李斌
本项目的创新点是:1、研发了铜线键合空气球形成防氧化技术;2、研发了高密度小焊盘铜线键合焊盘损伤和"铝飞溅"控制技术;3、研发了铝垫焊盘下埋层线路或有源结构铜线键合防护技术;4、研发了通过铜线键合快速腐球来判断介质裂纹和...
关键词:
关键词:芯片封装
多芯片堆叠(3D)封装技术研发
李习周徐冬梅慕蔚王永忠刘定斌王治文赵耀军周朝峰雷育恒温莉珺周建国成军代赋王婷王立国
本项目的创新点是:1、开发了50μm~75μm超薄12吋晶圆减薄划片技术;2、采用多层(3层及其以上)金字塔式、悬梁式和隔片式堆叠技术,实现二次集成,缩小了电路面积;3、开发了基于叠层芯片的超低弧度内丝焊(单侧内丝焊、双...
关键词:
关键词:封装
共1页<1>
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