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郑有

作品数：18 被引量：31H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇半导体
  • 5篇硅
  • 4篇氮化镓
  • 4篇量子
  • 4篇GAN
  • 3篇异质结
  • 3篇碳化硅
  • 3篇子线
  • 3篇量子线
  • 3篇半导体材料
  • 3篇MOCVD
  • 2篇单晶
  • 2篇氧化硅
  • 2篇蓝光
  • 2篇二极管
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇MOCVD生...
  • 1篇单晶薄膜

机构

  • 18篇南京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 18篇郑有
  • 11篇张荣
  • 7篇沈波
  • 7篇陈鹏
  • 6篇顾书林
  • 5篇刘建林
  • 5篇陈志忠
  • 4篇韩平
  • 4篇汪峰
  • 4篇施毅
  • 3篇胡立群
  • 3篇江若琏
  • 3篇茅保华
  • 2篇周玉刚
  • 2篇杨凯
  • 2篇杨凯
  • 2篇朱顺明
  • 2篇臧岚
  • 2篇陆阳
  • 1篇谢中华

传媒

  • 4篇高技术通讯
  • 3篇Journa...
  • 3篇半导体光电
  • 2篇功能材料
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇光散射学报
  • 1篇2010年全...
  • 1篇2000年中...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1989
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热丝法低温生长硅上单晶碳化硅薄膜被引量：6
1994年
提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。
张荣施洪涛郑有于是东何宇亮刘湘娜
关键词：热丝法碳化硅单晶
ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的MOCVD生长
研究了直接在ZnAlO/α-AlO衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜。利用脉冲激光淀积法在α-AlO衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-AlO样品高温退火得到了具有ZnAlO覆盖层的α-AlO衬底,并在此衬底...
毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有
关键词：GANZNAL2O4MOCVD扫描电子显微镜
文献传递
InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质被引量：1
1998年
研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。
陈志忠沈波杨凯施洪涛陈鹏郑有李熹霖
关键词：双异质结构电致发光
用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究被引量：1
1999年
以SiH4为生长气源，利用VLS（气相一液相一固相）互反应生长机制，在RT－CVD生长设备上通过向（111）硅衬底表面引入Au，生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察，并分析讨论了生长的异常现象。
陆阳施毅刘建林汪峰顾书林朱顺民郑有
关键词：真空微电子技术
GaN光导型紫外探测器被引量：1
1997年
研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H－SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量，获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应，并且观察到在365nm（～3．4eV）带边附近陡峭的截止边。测得GaN探测器在5V偏压下在360nm波长处的光电流响应度为133A／W，并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，获得了GaN探测器的响应时间。
杨凯张荣臧岚沈波陈志忠陈鹏郑有黄振春
关键词：紫外探测器氮化镓MOCVD
蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长被引量：7
2004年
　采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定。俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H SiC薄膜中的Si—C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比。扫描电子显微镜的分析显示6H SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整。由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H SiC体材料的相应数据一致。
孙澜陈平韩平郑有史君朱嘉朱顺明顾书林张荣
关键词：化学气相淀积蓝宝石6H-SIC单晶薄膜碳化硅
Si/Ge异质结构的生长与特性
郑有张荣胡立群
关键词：半导体物理锗硅异质结晶体生长
SiGe外延层中硼注入和退火被引量：1
1997年
对采用快速加热、超低压－化学汽相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）技术生长的Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２／Ｓｉ应变外延层进行硼注入，注入能量为４０ｋｅＶ，注入剂量为２．５×１０１４ｃｍ－２。然后，进行不同时间、不同温度的快热退火（ＲＴＡ）和稳态炉退火。结果表明，ＲＴＡ优于稳态炉退火，其最佳条件是：退火时间为１０ｓ，退火温度范围为７５０℃～８５０℃，或者退火温度为７００℃，时间为４０ｓ，基本可消除由注入引起的损伤，获得约３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ的空穴迁移率以及近１００％的激活率。
江若琏刘卫平江宁胡立群朱顺明郑有
关键词：半导体材料异质结
比较AAO和SiO2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验结...
刘荣海郑有陈鹏于治国谢自力韩平刘斌宋雪云施毅张荣
关键词：多量子阱多孔氧化铝膜
文献传递
SiO_2全封闭的硅量子线列阵
1995年
采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．
施毅刘建林汪峰张荣韩平余是东张学渊顾书林胡立群茅保华郑有
关键词：二氧化硅硅量子线化合物半导体
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