赵夕彬
- 作品数：26 被引量：58H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 微波功率管自锁紧测试夹具
- 本实用新型公开了一种微波功率管自锁紧测试夹具,涉及功率因数测量装置技术领域。它的铝合金基座上开有测试槽；压块的一端与铝合金基座铰接，且铰接轴套接有压块的A复位扭簧；压块的另一端安装有固定锁舌；铝合金基座与固定锁舌对应的位...
- 赵夕彬吴家峰张贞鹏王晓会
- 文献传递
- P波段3kW GaN功率器件的研制被引量：1
- 2021年
- 介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。
- 高永辉徐守利银军赵夕彬陈欣华黄雒光崔玉兴
- 关键词：内匹配高功率P波段
- 高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术被引量：4
- 2018年
- 采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm Ga N芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配Ga N功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 d Bm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。
- 李晶倪涛吴景峰赵夕彬王毅
- 关键词：功率放大模块小型化
- 星载功率放大器相位抖动问题研究被引量：1
- 2021年
- 针对合成孔径雷达(SAR)双星成像时对相位差要求较高的现状,文中从微波传输线理论入手分析了影响功率放大器相位变化的因素,从工程力学角度入手对材料应力应变的状态进行了理论分析,利用应力分析软件进行仿真分析了功率器件管壳引线、SMA接头引线在不同温度条件下的应力及应变,利用电磁场仿真软件分析了材料应变造成的接地不连续和传输线瞬态阻抗变化对发射相位的影响,得出了传统结构形式的放大器可能存在相位抖动的固有特性,通过温度循环试验进行了验证,最后针对相位抖动现象给出了改进措施。这些措施可在星载功率放大器的设计中进行推广。
- 武小坡吴家锋赵海洋赵夕彬
- 关键词：星载功率放大器相位抖动应力应变
- 功率器件制备方法
- 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
- 吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
- 文献传递
- 8kW高功率单刀四掷射频开关被引量：3
- 2015年
- 介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。
- 吴家锋吴程赵夕彬
- 关键词：PIN二极管峰值功率隔离度转换时间
- 固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究被引量：12
- 2009年
- 针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。
- 赵夕彬
- 关键词：脉冲功率放大器调制电路
- 提高隔离器焊接可靠性及驻波特性技术研究被引量：1
- 2012年
- 高可靠固态功率放大器(SSPA)常采用隔离器来实现较好的驻波特性,为保证隔离器联接焊点能够承受上百次温度循环试验和高量级的随机振动试验,常采用Ω桥进行联接。针对隔离器搭桥焊接后驻波特性恶化的问题进行了设计和试验,提出了改善驻波特性的措施,提高了产品可靠性。论述了搭桥状态的匹配电路设计和焊接搭桥工艺的实现方法,满足了电路设计和可靠性设计要求,并对设计方案和可靠性进行了试验验证。试验结果表明,驻波比(VSWR)得到了较大改善,与搭桥前隔离器直接连接微带线的驻波特性一致,通过了100次-55～85℃温度循环试验和加速度总均方根值为207.1 m/s2的随机振动试验,电性能与可靠性满足设计要求。该技术研究成果为提高产品可靠性和隔离器的安装互连提供了设计依据。
- 赵夕彬吴家锋卢小娜
- 关键词：高可靠固态功率放大器隔离器驻波
- 基于负载牵引法的小型化功率模块设计被引量：2
- 2009年
- 为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计。阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块。制作的单级功率放大器模块在500MHz带宽内Gp>9dB,VSWR≤1.5∶1,Pout≥34.6dBm。
- 吴家锋何庆国赵夕彬
- 关键词：小型化功率放大模块
- L波段脉冲功率放大器幅相一致性技术研究被引量：4
- 2003年
- 文章对相控阵天线T/R组件阵列中的微波功率放大器幅相一致性技术进行了分析和讨论,对影响单级放大器的相移特性进行了研究,并介绍了控制放大器幅相一致性的几点方法和措施。
- 赵夕彬左新法
- 关键词：微波功率放大器幅相一致性相移特性匹配网络
