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吴家锋

作品数：14 被引量：18H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电路
  • 5篇功率
  • 5篇功率放大
  • 4篇内匹配
  • 4篇功率放大器
  • 4篇功率器件
  • 4篇放大器
  • 3篇阻抗变换
  • 3篇芯片
  • 3篇功率芯片
  • 3篇固态功率放大...
  • 2篇单片
  • 2篇单片微波
  • 2篇单片微波集成...
  • 2篇射频
  • 2篇匹配电路
  • 2篇阻抗变换器
  • 2篇微波功率器件
  • 2篇微波集成
  • 2篇微波集成电路

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇江苏省江阴中...

作者

  • 14篇吴家锋
  • 8篇银军
  • 8篇赵夕彬
  • 4篇段雪
  • 3篇许春良
  • 2篇余若祺
  • 2篇徐守利
  • 2篇黄雒光
  • 2篇斛彦生
  • 1篇顾占彪
  • 1篇倪涛
  • 1篇王绍东
  • 1篇默江辉
  • 1篇刘志军
  • 1篇王生国
  • 1篇董四华
  • 1篇吴程
  • 1篇何庆国
  • 1篇武小坡
  • 1篇赵海洋

传媒

  • 6篇半导体技术
  • 1篇微波学报
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
星载功率放大器相位抖动问题研究被引量：1
2021年
针对合成孔径雷达(SAR)双星成像时对相位差要求较高的现状,文中从微波传输线理论入手分析了影响功率放大器相位变化的因素,从工程力学角度入手对材料应力应变的状态进行了理论分析,利用应力分析软件进行仿真分析了功率器件管壳引线、SMA接头引线在不同温度条件下的应力及应变,利用电磁场仿真软件分析了材料应变造成的接地不连续和传输线瞬态阻抗变化对发射相位的影响,得出了传统结构形式的放大器可能存在相位抖动的固有特性,通过温度循环试验进行了验证,最后针对相位抖动现象给出了改进措施。这些措施可在星载功率放大器的设计中进行推广。
武小坡吴家锋赵海洋赵夕彬
关键词：星载功率放大器相位抖动应力应变
功率器件制备方法
本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
文献传递
8kW高功率单刀四掷射频开关被引量：3
2015年
介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。
吴家锋吴程赵夕彬
关键词：PIN二极管峰值功率隔离度转换时间
提高隔离器焊接可靠性及驻波特性技术研究被引量：1
2012年
高可靠固态功率放大器(SSPA)常采用隔离器来实现较好的驻波特性,为保证隔离器联接焊点能够承受上百次温度循环试验和高量级的随机振动试验,常采用Ω桥进行联接。针对隔离器搭桥焊接后驻波特性恶化的问题进行了设计和试验,提出了改善驻波特性的措施,提高了产品可靠性。论述了搭桥状态的匹配电路设计和焊接搭桥工艺的实现方法,满足了电路设计和可靠性设计要求,并对设计方案和可靠性进行了试验验证。试验结果表明,驻波比(VSWR)得到了较大改善,与搭桥前隔离器直接连接微带线的驻波特性一致,通过了100次-55～85℃温度循环试验和加速度总均方根值为207.1 m/s2的随机振动试验,电性能与可靠性满足设计要求。该技术研究成果为提高产品可靠性和隔离器的安装互连提供了设计依据。
赵夕彬吴家锋卢小娜
关键词：高可靠固态功率放大器隔离器驻波
基于负载牵引法的小型化功率模块设计被引量：2
2009年
为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计。阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块。制作的单级功率放大器模块在500MHz带宽内Gp>9dB,VSWR≤1.5∶1,Pout≥34.6dBm。
吴家锋何庆国赵夕彬
关键词：小型化功率放大模块
X波段300W GaN功率器件技术被引量：4
2020年
介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型,开展X波段300 W内匹配功率器件的设计。采用四胞匹配合成电路,使用L-C网络提升器件阻抗,通过λ/4阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成,实现阻抗50Ω匹配,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片实现。仿真实验证明,该器件在9.5~10.5 GHz频率内输出功率大于300 W,功率增益大于9 dB,功率附加效率大于38.9%。同时研究了器件输出功率和功率附加效率随工作电压、脉冲宽度、占空比变化情况。
银军余若祺刘泽吴家锋段雪
关键词：氮化镓内匹配X波段功率
一种微波功率器件及设计方法
本发明提供一种微波功率器件及设计方法。该器件包括：输入匹配电路和功率芯片。输入匹配电路的输出端连接功率芯片的输入端。功率芯片的输出端连接微波功率器件的输出端。输入匹配电路包括依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容。主...
吴家锋段雪徐森锋赵景波斛彦生徐守利翟岐黄旭顾占彪银军
基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制作方法
本发明提供了一种基于微流道散热器的微波功率器件的封装结构及制备方法，属于微电子封装技术领域，包括微波封装管壳、金属基微流道散热器以及芯片和电路模块，微波封装管壳包括底板、固设于底板上的墙体以及封装于墙体上的盖板。金属基微...
王绍东王生国银军赵永志许春良吴家锋
高可靠GaN内匹配功率器件降额研究被引量：2
2022年
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即I级、II级、III级降额结温分别为135~140、160和180℃,降额系数分别为0.6~0.62、0.71和0.8。选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的I级降额条件下,该器件已安全工作超18000 h。提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义。
吴家锋赵夕彬徐守利陈鹏银军默江辉
关键词：击穿电压结温
C波段160W连续波GaN HEMT内匹配功率器件研制被引量：5
2019年
基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了一款C波段160 W连续波GaN HEMT内匹配功率器件。通过优化管芯的结构,设计出了满足连续波使用要求的大功率GaN管芯,然后进行了内匹配器件的设计,在设计中首先采用负载牵引法进行了器件参数提取,并以此为基础设计了阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成。研制出了工作频率为4.4~5.0 GHz、工作电压32 V、连续波输出功率大于160 W、功率附加效率大于50%、功率增益大于12 dB的GaN HEMT内匹配功率管,具有广阔的工程应用前景。
吴家锋徐全胜赵夕彬银军
关键词：内匹配功率合成阻抗变换
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