银军
- 作品数：47 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器
- 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源...
- 刘震银军张小宁余若祺李剑锋倪涛黄旭徐森锋盛百城张军
- L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
- 2014年
- 基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。
- 闫锐银军崔玉兴张力江付兴昌高学邦吴洪江蔡树军杨克武
- 关键词：GAN内匹配L波段功率
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
- 2022年
- 为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。
- 王忠牛赫一银军刘辰熙李用兵
- 关键词：三阶互调
- 功率器件制备方法
- 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
- 吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
- 文献传递
- UHF频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器设计
- 2023年
- 采用50 V氮化镓(GaN)芯片,设计一款超高频(UHF)频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器。基于砷化镓(GaAs)无源工艺,设计芯片化的输入集成无源器件(IPD)匹配电路;基于高热率的瓷片,设计集成的“L”型瓷片预输出匹配,以及基于高介电常数的印刷电路板(PCB)板材,设计外输出匹配电路,从而实现输出匹配电路的宽带小型化。采用混合集成工艺实现小型化高密度集成,功率放大器体积为25 mm×25 mm×7 mm。经测试,功率放大器在频带为0.3 GHz~0.7 GHz、电压为50 V、脉宽为100μs、占空比为10%、输入功率为15 W的工作条件下,实现了带内输出功率大于350 W、功率增益大于13.5 dB、功率附加效率大于50%的性能指标。
- 张晓帆银军倪涛余若祺高永辉林正兆
- 关键词：超宽带GAN小型化功率放大器UHF
- 基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
- 2022年
- 耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
- 刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
- 关键词：光纤光学偏振不敏感
- 超快响应GaN半导体光导开关的研制
- 2022年
- 半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号。利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝缘导热封装提升器件的耐压与可靠性,研制了快拆式测试电路与夹具,实现储能、触发与低寄生同轴输出功能,提升了高频测试准确度与高频响应能力。搭建了高压宽带PCSS测试系统,测量开关线性工作特性,在5 kV偏置电压、触发激光脉冲波长为532 nm、能量为5 mJ下,GaN PCSS在50Ω负载上输出超快脉冲信号电压峰峰值大于2 kV,脉冲信号上升沿小于88 ps。
- 陈湘锦刘京亮段雪银军吴洪江
- 关键词：GAN
- C波段高效率小型化GaN 150W功率放大器载片设计
- 2023年
- 介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。
- 斛彦生王毅银军倪涛余若祺董世良王浩杰
- 关键词：GANIPD宽带
- P波段宽带放大器输出内匹配网络
- 本发明提供一种P波段宽带放大器输出内匹配网络。该输出内匹配网络包括第一微带线、第二微带线、多个匹配电容和隔直电容，第一微带线与多个匹配电容形成LC匹配网络，第二微带线与隔直电容形成隔直网络；第一微带线的一端作为LC匹配网...
- 倪涛李晶余若祺银军王毅斛彦生徐守利高永辉
