羊庆玲
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术被引量：2
- 2004年
- 采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。
- 羊庆玲冯建
- 关键词：VDMOSFET硅片直接键合SOI范德华力
- 100V N沟道VDMOS寄生电容研究被引量：1
- 2010年
- 从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9ns和多晶线宽每变化0.2μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好。将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VD-MOS芯片制造要求。
- 唐昭焕刘勇胡永贵羊庆玲杨永晖谭开洲
- 关键词：VDMOS寄生电容关断时间
- 一种星用抗辐射加固铁氧体移相驱动器的研制
- 本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃～12...
- 江军杨伟羊庆玲
- 关键词：铁氧体移相驱动器相控阵雷达总剂量辐射
- 文献传递
- 一种星用抗辐射加固电源调制器的研制
- 本文介绍了一种星用抗辐射加固电源调制器,主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃-125℃全温范围内,输出延迟及上升时间≤150ns,输出延迟及下降时间≤150ns,输出高电平-0...
- 孟华群羊庆玲
- 关键词：总剂量辐射抗辐射加固微电子器件
- 文献传递
- SW4391微功耗反相型开关电源
- 1996年
- 详细介绍了ＳＷ４３９１微功耗反相型开关电源的工作原理、线路设计、版图设计及研制结果，说明了其使用注意事项，并讨论了几种典型应用。
- 蒲大勇羊庆玲
- 关键词：模拟电路开关电源电池供电
- 一种星用CMOS多功能电平交换器的研制
- 本文介绍了一种全定制正向设计的星用CMOS多功能电平交换器,并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述.该产品具有功耗低(≤5mW),开关速度快(输出延迟加上升≤70ns),工作频率高(最高工作频率可...
- 朱冬梅孟华群羊庆玲胡永贵
- 关键词：总剂量相控阵技术CMOS
- 文献传递
- 一种新型CMOS T/R组件多功能控制器
- 2005年
- 研制了一种正向设计的全定制CMOST/R组件多功能控制器,简要介绍了其基本工作原理、线路设计和可靠性设计。该产品具有功耗低(≤5mW),开关速度快(输出上升时间≤30ns),工作频率高(fmax=5MHz),输出高低电平电压幅度大(VOL≤-4.9V,VOH≥-0.1V),24路输出一致性好等优点,可广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。
- 朱冬梅周玉涛羊庆玲
- 关键词：T/R组件CMOS控制器相控阵雷达
