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王弘英

作品数：8 被引量：51H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇抛光
  • 4篇ULSI
  • 3篇多层布线
  • 3篇抛光液
  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 2篇自激
  • 2篇可靠性
  • 2篇铜
  • 2篇CMP技术
  • 2篇CU
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇溶胶
  • 1篇甚大规模集成...
  • 1篇铜布线
  • 1篇抛光技术
  • 1篇抛光速率
  • 1篇自激振荡

机构

  • 6篇河北工业大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇王弘英
  • 5篇刘玉岭
  • 3篇王新
  • 1篇檀柏梅
  • 1篇王长河
  • 1篇高建军
  • 1篇任俊华
  • 1篇默立东

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇电子器件
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
ULSI多层布线中Cu的CMP技术被引量：5
2001年
作者对当前 ULSI多层布线中金属铜的 CMP技术作了系统的介绍 ,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述 ,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。
王弘英刘玉岭王新檀柏梅
关键词：多层布线化学机械抛光ULSI集成电路
适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液被引量：17
2002年
采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料 ,解决了抛光液的悬浮问题 ,得到了很好的抛光表面 .采用无金属离子的有机碱作络合剂及 p H调制剂 ,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝胶问题 .从而得到一种适用于甚大规模集成电路 (U L SI)制备中铜互连线技术的化学机械抛光(CMP)
王弘英刘玉岭张德臣
关键词：铜ULSI化学机械抛光抛光液集成电路
微波集成电路的老炼试验技术被引量：8
2016年
微波集成电路(MIC)是雷达和微波通信系统中的关键部分,其可靠性试验对于保证交付产品的质量具有重要的作用。老炼试验是可靠性筛选的关键一环,因而也是产品质量保证的重要手段。对MIC老炼试验技术进行了研究,并针对老炼夹具的设计、ESD与EMP防护和自激振荡的预防与消除提出了具体的解决措施。
任俊华赵鑫燚王弘英
关键词：微波集成电路夹具自激振荡可靠性
甚大规模集成电路铜布线工艺中化学机械抛光技术的研究
该论文首次提出了一套适用于碱性抛光的铜的CMP四步机理模型:第一,形成表面氧化膜.圆晶片(铜表面)在浆料的作用下被氧化成膜,表面膜的组成为氧化铜和氧化亚铜的混合物;第二,选择性CMP.机械作用将铜表面凸起处的氧化膜磨去,...
王弘英
关键词：铜多层布线CMP抛光液大规模集成电路
文献传递
ULSI制备中铜布线的两步抛光技术被引量：5
2003年
在超大规模集成电路 (U L SI)铜布线工艺中 ,采用阻挡层来提高铜与衬底的粘附性 ,主要是为了防止铜原子向介质或衬底中扩散 .为了达到全局平面化 ,就需要克服阻挡层金属与布线金属铜因化学和物理性质的不同而导致其化学机械抛光 (CMP)速率的不同 .通过研究和一系列试验 ,采用两步抛光 ,初抛中采用高化学作用 ,终抛中采用高机械作用 ,达到较好的全局平面化效果 ,并提出了初抛的 CMP模型 .
王弘英刘玉岭郝景晨魏碧华
关键词：ULSI抛光技术阻挡层多层布线超大规模集成电路
ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究被引量：7
2001年
对 ＵＬＳＩ制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 ＣＭＰ相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述，并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外，还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。
刘玉岭王弘英王新
关键词：抛光液化学机械抛光ULSI
Cu-CMP中磨料粒子的机械作用实验分析被引量：7
2002年
本文介绍的Cu CMP实验中的磨料粒子是纳米硅溶胶 (SiO2 ,2 0～ 30nm)。为得到高质量、高平整度的铜表面 ,采用SiO2 溶胶抛光液对铜进行抛光实验 ,在给定的条件下 ,得到了磨料粒子的浓度与抛光速率间的机械作用曲线。实验结果表明 :当SiO2 溶胶浓度增大时 ,机械作用增强 ,抛光速率随之增加。当SiO2 溶胶浓度控制在一定范围 ,使抛光表面在低表面张力下进行抛光时 ,抛光后的液体呈蓝色 ,抛光后的铜表面光亮无划伤 。
王新刘玉岭王弘英
关键词：磨料SIO2溶胶抛光速率
微波晶体管测试夹具技术的研究被引量：3
2011年
微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。
王弘英王长河高建军默立东
关键词：微波晶体管测试夹具校准自激可靠性
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