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刘玉岭

作品数:481 被引量:752H指数:13
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 293篇期刊文章
  • 128篇专利
  • 41篇会议论文
  • 19篇科技成果

领域

  • 303篇电子电信
  • 45篇金属学及工艺
  • 16篇一般工业技术
  • 9篇化学工程
  • 8篇文化科学
  • 8篇理学
  • 7篇电气工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇冶金工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 176篇机械抛光
  • 169篇化学机械抛光
  • 150篇抛光
  • 145篇CMP
  • 144篇抛光液
  • 61篇电路
  • 59篇集成电路
  • 57篇去除速率
  • 54篇ULSI
  • 53篇碱性抛光液
  • 48篇活性剂
  • 43篇铜布线
  • 43篇大规模集成电...
  • 40篇阻挡层
  • 40篇表面活性
  • 40篇表面活性剂
  • 40篇衬底
  • 37篇平坦化
  • 36篇离子
  • 35篇粗糙度

机构

  • 470篇河北工业大学
  • 8篇中国电子科技...
  • 7篇中国人民政治...
  • 7篇华北理工大学
  • 5篇河北联合大学
  • 4篇天津职业技术...
  • 3篇中国工程物理...
  • 3篇河北科技大学
  • 3篇天津理工大学
  • 3篇新疆师范大学
  • 3篇河北冀雅电子...
  • 2篇河北工学院
  • 2篇河北大学
  • 2篇天津理工学院
  • 2篇河北化工医药...
  • 2篇华润集团有限...
  • 2篇天津晶岭微电...
  • 1篇石家庄铁道学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 481篇刘玉岭
  • 103篇檀柏梅
  • 92篇王辰伟
  • 79篇牛新环
  • 46篇李薇薇
  • 44篇周建伟
  • 43篇王娟
  • 41篇王胜利
  • 38篇高宝红
  • 33篇孙鸣
  • 32篇张建新
  • 31篇何彦刚
  • 26篇刘效岩
  • 22篇张楷亮
  • 21篇张伟
  • 19篇闫辰奇
  • 16篇王新
  • 16篇潘国峰
  • 14篇张西慧
  • 14篇胡轶

传媒

  • 87篇微纳电子技术
  • 72篇半导体技术
  • 16篇第十三届全国...
  • 15篇功能材料
  • 13篇河北工业大学...
  • 12篇电子器件
  • 10篇Journa...
  • 9篇稀有金属
  • 8篇教育与职业
  • 7篇微电子学
  • 6篇电镀与涂饰
  • 5篇电子工艺技术
  • 5篇电子工业专用...
  • 5篇第十四届全国...
  • 4篇第六届中国国...
  • 3篇光电子.激光
  • 3篇清洗世界
  • 2篇电镀与精饰
  • 2篇天津科技
  • 2篇润滑与密封

年份

  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 18篇2017
  • 26篇2016
  • 24篇2015
  • 19篇2014
  • 23篇2013
  • 31篇2012
  • 34篇2011
  • 31篇2010
  • 22篇2009
  • 29篇2008
  • 38篇2007
  • 59篇2006
  • 27篇2005
  • 15篇2004
  • 27篇2003
  • 10篇2002
481 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法
本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法,旨在提供一种外延层厚度一致,便于操作,效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体,在基座本体上有安放槽,安放槽底部的边缘有宽度为1~3mm...
刘玉岭张建新黄妍妍
文献传递
蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过程中化学机械抛光(CMP)抛光后表面洁净技术。提供一种选用中性介质的水抛液,该水抛液选用活性剂、螯合剂、阻蚀剂组成,当碱性抛光刚刚完成后,马上使用上述水抛液并采用大流量水抛的方法,...
刘玉岭牛新环刘金玉
文献传递
CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制被引量:3
2005年
化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重。随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合。文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用。实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用。
李薇薇刘玉岭周建伟王娟
关键词:化学机械全局平面化键合表面活性剂
金刚石膜电化学氧化液的制备及清洗技术研究被引量:1
2012年
提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。
张艳檀柏梅高宝红刘玉岭黄妍妍
关键词:金刚石膜电极电化学有机物氧化液
Sm2Fe17Ny/α-Fe双相纳米磁性材料
采用熔体快淬及晶化与氮化工艺研究了Sm2Fe17/α-Fe型合金及其氮化物的相结构、微结构及磁性能。铸态Sm2Fe17型合金中Sm2Fe17, α-Fe及SmFe2相共存。用50 m·s-1速度得到的快淬薄带均为Sm2F...
孙继兵崔春翔杨伟张颖张哲旭刘玉岭
关键词:快淬相结构微结构磁性能稀土
文献传递
硅单晶研磨片表面状态的分析研究被引量:3
1994年
硅单晶研磨片表面状态的分析研究河北工学院(天津300130)刘玉岭,韩清涛,徐晓辉,李湘都硅片研磨是硅器件衬底加工过程中一个重要工序,研磨表面状态的好坏对后步工序的加工直至器件质量,尤其VLSI与ULSI的制备性能与成品率有着极重要影响。但是,这方面...
刘玉岭韩清涛徐晓辉李湘都
关键词:硅单晶研磨
微电子工艺中的清洗技术现况与展望被引量:11
2002年
介绍了微电子行业的清洗现状以及其工艺的清洗原理(包括颗粒、金属离子等),分析了存在的问题,阐述了硅片清洗的急待解决的难题和ODS(破坏臭氧层物质)清洗液的替代问题.说明了润湿剂、渗透剂和螯合剂的作用,并对今后的微电子清洗发展方向进行了展望.
刘玉岭李薇薇檀柏梅
关键词:微电子ODS螯合剂渗透剂
液晶屏的清洗方法
本发明公开了一种液晶屏的清洗方法,旨在提供一种能够消除有机物及清洗剂残留,消除水基清洗的环保隐患,满足环保要求的清洗方法。在第一槽中放入液晶屏清洗剂,加热到50-60℃,将装有液晶屏的花篮浸泡在第一槽中,配合超声波或兆声...
刘玉岭高宝红檀柏梅黄妍妍
碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理被引量:4
2018年
苯并三唑(BTA)在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光(CMP)后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对抛光后晶圆表面残留BTA的去除效果及机理。首先通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)研究了BTA在铜表面的吸附状态,发现铜表面的氧化程度会影响BTA在晶圆表面的吸附状态;然后采用体积分数为0.02%、pH值为10.3的碱性多羟多胺螯合剂去除铜表面BTA薄膜。FTIR和XPS测试结果显示,碱性多羟多胺螯合剂可以有效去除铜表面BTA薄膜;最后,通过实验数据研究了碱性多羟多胺螯合剂去除BTA的机理。
高宝红高宝红车佳漭檀柏梅杨柳刘玉岭
The Application of Alkali Nano-sized SiO2 Slurry on Ultra-Precision Machining Process of the Material surface
Aiming at some problems on ultra-precision machining process of the material surface by chemical mechanical po...
刘玉岭武亚红孙薇
关键词:NANO-SIZE
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