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牛晓滨

作品数:3 被引量:20H指数:2
供职机构:中国科学技术大学化学与材料科学学院中国科学院结构分析重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇CVD生长
  • 1篇气相沉积
  • 1篇热丝
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶粒
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇HFCVD

机构

  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 3篇牛晓滨
  • 2篇常超
  • 2篇廖源
  • 2篇方容川
  • 1篇王冠中
  • 1篇余庆选
  • 1篇叶祉渊
  • 1篇薛剑耿
  • 1篇吴气虹
  • 1篇尚乃贵
  • 1篇王代冕
  • 1篇揭建胜
  • 1篇马玉蓉

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
热丝CVD生长SiCN薄膜的研究被引量:17
2004年
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
牛晓滨廖源常超余庆选方容川
关键词:HFCVD化学气相沉积纳米晶粒薄膜生长
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用被引量:3
2001年
在863"九五”计划期间,我们研制成功"计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良.
方容川常超廖源叶祉渊薛剑耿王冠中马玉蓉尚乃贵牛晓滨王代冕吴气虹揭建胜
关键词:金刚石薄膜
两种碳基薄膜材料的CVD生长及其性质研究
类金刚石薄膜是一种在很多性质上接近金刚石的非晶材料,特别是具有在红外甚至部分可见光区透明的特点,所以它可以用来作为光学玻璃上的保护和消反射涂层.为了实现这个应用,我们利用热丝化学气相沉积法研究了类金刚石薄膜在熔融石英衬底...
牛晓滨
关键词:类金刚石薄膜薄膜生长
文献传递
共1页<1>
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