江波
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
- 2004年
- 在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .
- 郑期彤张大伟江波田立林余志平
- 关键词：DGMOSFET
- 一种结构调整后的DSOI器件被引量：6
- 2002年
- 提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能 .
- 江波何平田立林林羲
- 关键词：SOIDSOIMOSFET
- 一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)被引量：1
- 2003年
- 为了克服传统 SOI器件的浮体效应和自热效应 ,采用创新的工艺方法将低剂量局域 SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合 ,实现了 DSOI结构的器件 .测试结果表明 ,该器件消除了传统 SOI器件的浮体效应 ,同时自热效应得到很大的改善 ,提高了可靠性和稳定性 .而原先
- 何平江波林曦刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦
- 关键词：DSOISOI自热效应热阻
