林羲
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较被引量：3
- 2003年
- 严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI3种结构的器件。通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应。由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势。DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件。
- 林羲董业民何平陈猛王曦田立林李志坚
- 关键词：DSOISOI绝缘体上硅自热效应浮体效应场效应器件
- DSOI MOSFET特性与工艺研究
- 林羲
- 关键词：浮体效应自热效应
- 采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性(英文)被引量：2
- 2003年
- 通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .
- 林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦
- 关键词：场效应晶体管DSOISOI自热效应热阻
- 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件
- 本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOI MOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了S...
- 李志坚田立林何平林羲
- 文献传递
- 一种结构调整后的DSOI器件被引量：6
- 2002年
- 提出一种改进的 DSOI结构 ,在保留 DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上 ,能提高电路速度和驱动能力等器件性能 .采用不完全除去沟道下绝缘层的办法 ,使 DSOI器件的结构更接近 SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟 ,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能 .
- 江波何平田立林林羲
- 关键词：SOIDSOIMOSFET
