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董业明

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇热阻
  • 2篇SOI
  • 1篇英文
  • 1篇热导率
  • 1篇自热效应
  • 1篇埋氧层
  • 1篇硅片
  • 1篇边界热阻
  • 1篇SIMOX
  • 1篇DSOI

机构

  • 2篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 2篇何平
  • 2篇李志坚
  • 2篇刘理天
  • 2篇王曦
  • 2篇陈猛
  • 2篇董业明
  • 2篇田立林
  • 1篇江波
  • 1篇林曦

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量
2003年
提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 .
何平刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦
关键词：SOISIMOX热导率边界热阻
一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件(英文)被引量：1
2003年
为了克服传统 SOI器件的浮体效应和自热效应 ,采用创新的工艺方法将低剂量局域 SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合 ,实现了 DSOI结构的器件 .测试结果表明 ,该器件消除了传统 SOI器件的浮体效应 ,同时自热效应得到很大的改善 ,提高了可靠性和稳定性 .而原先
何平江波林曦刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦
关键词：DSOISOI自热效应热阻
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共1页<1>
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