陈猛
- 作品数：56 被引量：20H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 射频等离子体中丙烯单体聚合过程的发射光谱研究
- 陈猛
- 关键词：射频等离子体丙烯单体发射光谱
- FCVA沉积角度对DLC薄膜性质的影响
- 陈猛
- 关键词：DLC薄膜磁头
- 低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究被引量：1
- 2002年
- 采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析。结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关。
- 陈静王湘董业民郑志宏陈猛王曦
- 关键词：SOI结构离子注入
- 等离子体聚合介质膜的感湿机理研究
- 1995年
- 介绍了等离子体聚合方法,重点讨论了已完成的功能高分子湿敏介质膜的感湿机理及其与工艺的联系,并给出结论.
- 马振国杨津基陈猛
- 关键词：等离子体聚合湿度传感器介质膜
- 一种探测装置和实现太赫兹波探测的方法
- 本文公开一种探测装置和实现太赫兹波探测的方法，本发明实施例探测装置包括：构成电磁谐振阵列的两个以上探测单元，探测单元包括：沟道、正金属电极、负金属电极和电磁谐振结构；其中，正金属电极和负金属电极欧姆接触于沟道的两端，且仅...
- 赵自然王迎新陈猛李亮
- 文献传递
- 剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
- 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于，(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 ...
- 董业民陈猛王曦王湘陈静林梓鑫
- 文献传递
- 用辉光放电等离子体制备湿敏膜的研究
- 1996年
- 本文应用射频辉光放电等离子体技术在电容式耦合反应室内制备等离子体聚苯乙烯（ＰＰＳ）膜，采用铝膜－聚合膜－金膜的平板电容器结构研究了聚合膜电容器的电容量随湿度变化的特性。结果表明，等离子体聚合膜电容器对湿度变化的响应时间在１．５ｍｉｎ之内，湿滞和温度系数小。此外，还分析了聚合膜的结构并讨论膜结构与湿敏性能的关系。
- 陈猛杨津基
- 关键词：辉光放电等离子体
- 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
- 本发明涉及一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管(MOSFET)的制造方法，属于微电子技术领域。本发明的特征在于采用选择外延法在常规SOI MOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到电耦合与热...
- 董业民陈猛王曦王湘陈静
- 文献传递
- 一种相含率测量方法及装置
- 本发明实施例提供一种相含率测量方法及装置，根据待测量体系轮廓特征以及相介质特征，确定填补区结构；根据所述填补区结构，确定敏感场矩阵；根据所述敏感场矩阵和归一化电容值，得到相含率空间截面分布图。本发明实施例通过填补法和电容...
- 陈昭刘马林王江江常家兴陈猛唐亚平刘兵
- 文献传递
- 氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
- 2003年
- 实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
- 易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦
- 关键词：注氧隔离
