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DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度: 2018年; 直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.; 王芳芳王芳芳曾传滨高林春李晓静高林春; 关键词：总剂量效应界面态

黄河三角洲潮间带及近岸浅海大型底栖动物物种组成及长周期变化被引量：9: 2020年; 黄河三角洲湿地是渤海重要的生态功能区,在生物多样性保护与生态功能恢复方面发挥着重要作用。为系统研究该区域内大型底栖动物群落物种组成及时空分布,作者在该区域典型潮间带和近岸浅海(5m以浅水域)布设11个断面,分别于2016年8月和11月, 2017年5月、8月和11月进行3个季节取样。结果显示:黄河三角洲潮间带和邻近海域共发现大型底栖动物187种。其中,潮间带分布119种,近岸浅海分布99种。黄河三角洲潮间带和近海大型底栖动物物种组成均具有明显的时空差异。与历史资料相比,黄河三角洲潮间带和近岸浅海大型底栖动物物种组成发生了明显变化,动物个体呈小型化趋势。总体表现为自20世纪90年代末至今,个体大的甲壳动物和软体动物经济类群逐渐被个体小且经济价值较低的多毛类、双壳类和甲壳动物取代。引起上述变化的原因复杂,主要驱动力包括黄河来水量与输沙量的减少、人类活动(过度捕捞、开发力度加大)和互花米草(Spartina alterniflora)入侵。; 李宝泉姜少玉吕卷章陈琳琳陈琳琳陈琳琳李晓静宋博李晓静; 关键词：黄河三角洲大型底栖动物群落物种组成

碳纳米管薄膜场效应晶体管低温电学特性: 2023年; 基于网络状碳纳米管(carbon nanotube,CNT)薄膜制备了网络状碳纳米管薄膜场效应晶体管(carbon nanotube thin film field effect transistor,CNT-TFT),研究了温度为100~300 K时,CNT-TFT的电学特性,并对关键电学参数,如开态电流I_(on)、跨导G_(m)、阈值电压V_(th)和亚阈值摆幅S_(S)等,进行了深入分析。研究结果表明,随着温度的降低,G_(m)出现了下降,V_(th)向左漂移;在G_(m)和V_(th)共同作用下,I_(on)显著下降。通过对电学参数随温度演化机制的深入分析,发现器件G_(m)的降低不仅与CNT内的散射及CNT-金属接触电阻相关,而且与交叠的碳纳米管间的结电阻密切相关。同时,研究还表明,低温下,界面俘获中心对电子俘获概率的减小是引起器件V_(th)和S_(S)变化的主要因素。; 张静李梦达朱慧平王磊王磊彭松昂李晓静王艳蓉李晓静闫江; 关键词：电学特性散射

SOI MOSFET自加热效应测试方法被引量：1: 2021年; 为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80μs时直流静态Ids-Vds特性的超快脉冲I-V测试方法。将被测器件栅漏短接、源体短接后串联接入超快脉冲测试系统,根据示波器在源端采集的电压脉冲的幅值计算漏电流受自加热影响的动态变化过程。选取体硅NMOSFET和SOI NMOSFET进行验证测试,并对被测器件的温度分布进行仿真,证实该方法用于自加热效应的测试是准确有效的,能为建立准确的器件模型提供数据支撑。采用该方法对2μm SOI工艺不同宽长比的NMOSFET进行测试,结果表明栅宽相同的器件,栅长越短,自加热现象越明显。; 王娟娟王娟娟曾传滨倪涛倪涛李多力罗家俊; 关键词：自加热效应 MOSFET

28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：3: 2021年; 针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体FD(全耗尽)SOI的结构优势使其和PD(部分耗尽)SOI相比拥有更,低的阈值电压温度漂移率和更小的载流子迁移率改变量.; 张颢译曾传滨李晓静李晓静闫薇薇倪涛罗家俊高林春罗家俊; 关键词：输出电流载流子迁移率

28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：1: 2021年; 研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和亚阈值摆幅。在300℃高温下工作时,SOI MOSFET的参数发生退化,阈值电压减小,泄漏电流增加,栅极对沟道电流的控制能力大大减小。超薄体FD-SOI的设计可使器件的高温性能更加稳定,将电路的工作温度提高到300℃。; 张颢译曾传滨李晓静李晓静高林春罗家俊; 关键词：阈值电压

氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）: 2019年; 在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。; 张念华万先进李远许爱春潘杰左明光胡凯詹侃宋锐毛格彭浩李晓静李晓静闫薇薇; 关键词：孔洞延迟时间

退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1: 2013年; 研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛,且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著.经过对退火条件的优化,得到的比接触电阻率可达7.65×10 4·cm2.; 李晓静赵德刚何晓光吴亮亮李亮杨静乐伶聪陈平刘宗顺江德生; 关键词：P-GAN 欧姆接触快速热退火

用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1: 2021年; 研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ESD防护器件的一次击穿电压和维持电压均降低约11%,失效电流也降低近9.1%,并通过对器件体电阻、源-体结开启电压、沟道电流、寄生双极结型晶体管(BJT)的增益以及电流热效应的分析,解释了ESD特征参数发生上述变化的原因。研究结果为应用于高温电路的ESD防护器件的设计与开发提供了有效参考。; 王加鑫李晓静李晓静赵发展李博曾传滨李博; 关键词：NMOSFET

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李晓静

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