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高林春

作品数：72 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 60篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 6篇电气工程
  • 3篇医药卫生
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇电路
  • 12篇埋氧层
  • 10篇静电保护
  • 9篇漏电
  • 9篇脉冲
  • 8篇单粒子
  • 8篇源区
  • 8篇接触区
  • 8篇可控硅
  • 8篇隔离区
  • 7篇端口
  • 7篇集成电路
  • 7篇半导体
  • 6篇单粒子效应
  • 6篇瞬态
  • 6篇静电
  • 6篇静电防护
  • 6篇静电放电
  • 6篇绝缘体上硅
  • 6篇可控硅器件

机构

  • 72篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇辽宁大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 72篇高林春
  • 67篇曾传滨
  • 65篇罗家俊
  • 59篇韩郑生
  • 51篇倪涛
  • 42篇李多力
  • 40篇闫薇薇
  • 17篇赵发展
  • 5篇李博
  • 5篇刘海南
  • 5篇毕津顺
  • 4篇王磊
  • 3篇卜建辉
  • 3篇李晓静
  • 3篇周虹珊
  • 2篇刘魁勇
  • 2篇赵洪利
  • 2篇李博
  • 2篇刘刚
  • 1篇王春林

传媒

  • 4篇微电子学与计...
  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 6篇2024
  • 15篇2023
  • 13篇2022
  • 18篇2021
  • 6篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2012
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种激光脉冲单粒子效应模拟系统
本发明公开了一种激光脉冲单粒子效应模拟系统，属于集成电路辐射技术领域。该模拟系统包括超快激光脉冲发生系统、测试系统和控制器。该模拟系统利用压电陶瓷旋转台，通过压电陶瓷旋转台的旋转能力实现了激光在被测器件上进行精确扫描，克...
曾传滨高林春毕津顺罗家俊韩郑生
正面入射单光子吸收激光脉冲单粒子效应测试影响因素研究
利用脉冲宽度为15ps的532nm波长激光脉冲单粒子效应测试系统,在0.18μm PDSOI工艺制造的不同器件上测试了激光脉冲单粒子效应.通过实验结果的比对分析,明确了各工艺层、透光缝隙宽度、示波器带宽等对激光脉冲单粒子...
高林春杨娜曾传滨毕津顺刘刚罗家俊韩郑生
关键词：航天工程单粒子效应激光脉冲测试系统
一种可控硅器件
本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种可控硅器件。该结构中，N型阱区的上部设有第一空白掺杂区；任一等效结构均包括沿左右方向并排设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；任一等效结构均对应设置有第二多晶硅；P型阱区...
李晓静曾传滨闫薇薇高林春倪涛单梁王加鑫李多力赵发展罗家俊韩郑生
一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置
本发明提供了一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置，方法包括：针对目标器件，获取目标器件在常温下的第一温度转移特性曲线以及目标器件在目标温度下的第二温度转移特性曲线；获取目标器件的亚阈值泄漏截止电流对应的第一栅电压、...
高林春曾传滨李晓静闫薇薇倪涛李多力卜建辉张颢译王可刘海南罗家俊韩郑生
高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路
本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块，M为不小于2的正整数；所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管，所述场效应晶体管用于捕获高能粒子，并...
闫薇薇曾传滨高林春李晓静倪涛李多力罗家俊韩郑生
文献传递
一种SOI MOSFET器件及其制备方法
本发明公开了一种SOI MOSFET器件及其制备方法，器件包括：位于埋氧层上的有源区和栅极；设置于有源区边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，部分隔离区与埋氧层之间间隔有部分有源区；设置于器件最外侧的浅槽隔离区...
李多力曾传滨高林春王家佳罗家俊韩郑生
文献传递
一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路
本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第...
曾传滨李晓静高林春闫薇薇倪涛王加鑫李多力罗家俊韩郑生
文献传递
一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统
本发明提供一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统，双脉冲测量方式通过改变双脉冲间隔时长(冷却时长)来控制散热量，通过监测半导体器件输出电流与双脉冲间隔时长之间的相关性，在时域中观察自加热效应余热引起的电流变化，可准...
李逸帆罗家俊韩郑生倪涛王娟娟高林春曾传滨钱频王玉娟卜建辉
一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法
本发明公开了一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距...
曾传滨高林春李晓静闫薇薇单梁李多力倪涛王娟娟罗家俊韩郑生
文献传递
PDSOI SRAM单光子吸收激光脉冲与重离子单粒子LET翻转阈值对应关系
通过对SRAM芯片背面进行减薄去除衬底处理,直接从集成电路背面将532nm激光作用在PDSOI SRAM有源区,测试出了不同PDSOI SRAM电路单光子吸收激光脉冲翻转所需能量.并将上述PDSOI SRAM在重离子加速...
曾传滨高林春闫薇薇杨娜赵发展刘刚罗家俊韩郑生
关键词：单粒子翻转重离子激光脉冲
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