张经国
- 作品数：14 被引量：20H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第43研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- ９０年代的多芯片组件技术
- ９０年代美国、欧洲各国对发展多芯片组件（ＭＣＭ）所给以的重视，以及ＭＣＭ的国际市场预测。对９０年代ＭＣＭ技术发展的新动向，包括应用趋势、技术发展趋势及关键技术的发展动向进行评述。
- 张经国
- 关键词：多芯片组件电子元件
- 三维多芯片组件及其应用被引量：1
- 2000年
- 一、前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是通过采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。
- 郝建德杨邦朝张经国
- 关键词：三维多芯片组件集成电路微组装微电子
- 90年代的多芯片组件技术被引量：2
- 1993年
- 阐述90年代美国、欧洲各国对发展多芯片组件(MCM)所给以的重视,以及MCM的国际市场预测。对90年代MCM技术发展的新动向,包括应用趋势、技术发展趋势及关键技术的发展动向进行评述。
- 张经国
- 关键词：集成电路多芯片组件
- 三维多芯片组件被引量：7
- 1999年
- 三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。
- 张经国杨邦朝
- 关键词：三维多芯片组件系统集成WSI单片IC
- 多芯片组件技术的近期发展评述被引量：6
- 1997年
- 多芯片组件技术近期发展主要体现在三个方面，一是高级多芯片组件的发展，二是向商业领域产品应用发展，三是研究新的材料。
- 张经国
- 关键词：多芯片组件
- 三维多芯片微组装组件被引量：1
- 2001年
- 三维多芯片组件(3D-MCM)是在二维多芯片组件(2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术.二者的区别在于:3D-MCM是采用三维(x,y, z方向)结构形式对IC芯片进行三维集成的技术,而3D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术.三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术.
- 张经国杨邦朝
- 关键词：三维多芯片组件微电子
- 混合多层基板技术及其应用
- 混合多层基板是混合型多芯片组件的关键组成部分,而混合型多芯片组件是一种高级类型的多芯片组件,具有优良的性能/价格比.本文阐述了混合多层基板的类型和特点,并重点介绍共烧陶瓷-薄膜型混合多层基板的设计考虑和设计规范、关键工艺...
- 张经国
- 关键词：多层基板多芯片组件薄膜电路
- 文献传递
- W-SiO_2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析
- 2002年
- 氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中 ,共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术 .本研究提出了以W为导电材料 ,SiO2 为添加剂配制的导体浆料 ,获得了SiO2 的质量分数在 0 .45 %时 ,烧结应力减弱到充分小 ,使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度 .导带方阻达到 10mΩ/□ ,基板的翘曲度在 5 0mm中小于 5 0 μm ,导带焊盘的键合强度大于 2 9.4MPa .
- 胡永达蒋明杨邦朝崔嵩张经国
- 关键词：氮化铝基板材料
- W 浆料中 SiO_2含量对 AlN 共烧基板烧结性能的影响被引量：1
- 2004年
- 研究了在 AlN 多层布线共烧基板中,W-SiO_2浆料体系中 SiO_2含量对共烧基板烧结性能的影响。结果表明 SiO_2的质量分数在0.45％时,AlN 多层布线共烧基板的导带方阻达到10moΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm。
- 胡永达蒋明杨邦朝崔嵩张经国
- 关键词：氮化铝烧结性能集成电路
- 低成本多芯片组件被引量：2
- 1999年
- 低成本多芯片组件同样具有高性能，是推进ＭＣＭ向工业和民用电子产品应用的重要技术基础。分析了影响ＭＣＭ成本的因素，介绍了国外低成本多芯片组件的现状及应用。
- 杨邦朝张经国
- 关键词：多芯片组件系统集成MCMIC
