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张丽杰

作品数：41 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 27篇存储器
  • 14篇电路
  • 9篇集成电路
  • 9篇衬底
  • 8篇电压
  • 7篇低功耗
  • 7篇功耗
  • 7篇超大规模集成
  • 7篇超大规模集成...
  • 7篇大规模集成电...
  • 5篇电极
  • 5篇电阻
  • 5篇氧化物
  • 5篇金属
  • 5篇聚对二甲苯
  • 5篇存储密度
  • 4篇低压低功耗
  • 4篇射频
  • 4篇纳米
  • 4篇掺杂

机构

  • 41篇北京大学

作者

  • 41篇张丽杰
  • 40篇黄如
  • 13篇唐昱
  • 13篇蔡一茂
  • 10篇邝永变
  • 10篇高德金
  • 9篇谭胜虎
  • 9篇潘越
  • 8篇于哲
  • 8篇唐粕人
  • 7篇秦石强
  • 7篇杨庚雨
  • 5篇黄英龙
  • 4篇石淙寅
  • 3篇张耀凯
  • 2篇邹积彬
  • 2篇陈诚
  • 2篇唐迫人
  • 2篇叶乐
  • 2篇王川

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 14篇2012
  • 12篇2011
  • 10篇2010
  • 1篇2009
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型薄膜阻变器件的研究
随着微电子工艺技术的不断发展，特别是薄膜制备技术的进步，薄膜阻变器件表现出了稳定的高、低电阻转换特性。由于阻变器件电流.电压呈非线性、电阻状态具有保持特性，根据其特性不同，阻变器件可以应用于多个领域。本论文主要针对阻变器...
张丽杰
关键词：微电子工艺
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和...
张丽杰黄如潘越
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一种低功耗高抗干扰性的射频开关
本发明公开了一种低功耗高抗干扰性的射频开关，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。本发明的射频开关为串联和并联两种，串联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感为串联；阻变器件R与电感的连接端与信号输出端口连接；电感另一端...
张丽杰黄如石淙寅
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一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
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一种抑制阻变存储器阻态波动性的方法
本发明公开了一种抑制阻变存储器阻态波动性的方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该方法将阻变存储器件R与控制器件D并联，所述控制器件D为二极管或定值电阻，在读取电压作用下，流过处于高阻态的阻变存储器的电...
张丽杰黄如
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一种射频接收和发射的转换开关
本发明提供了一种射频接收和发射(T/R)转换开关，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该T/R转换开关包括两个相互连接的阻变器件，这两个阻变器件在一控制电压的作用下电阻特性相反，即阻变器件R1和阻变器件R2...
张丽杰黄如王川石淙寅
一种多态有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
一种阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该方法首先在衬底上淀积下电极，下电极上淀积阻变层，阻变层上淀积隔离层，在隔离层上淀积上电极，对上电极和下电极施加电压，在隔离层内形成...
张丽杰黄如
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一种低功耗高抗干扰性的射频开关
本发明公开了一种低功耗高抗干扰性的射频开关，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。本发明的射频开关为串联和并联两种，串联射频开关的连接关系为：阻变器件R与电感为串联；阻变器件R与电感的连接端与信号输出端口连接；电感另一端...
张丽杰黄如石淙寅
一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件
本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MO...
黄如秦石强唐粕人张丽杰蔡一茂
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