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高德金

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...

主题

  • 11篇存储器
  • 4篇低功耗
  • 4篇低压低功耗
  • 4篇功耗
  • 3篇电压
  • 3篇氧化物
  • 3篇金属
  • 3篇变电
  • 3篇变电压
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇低电压
  • 2篇电极
  • 2篇电极表面
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇多态
  • 2篇氧化还原反应
  • 2篇熔断
  • 2篇柔韧
  • 2篇柔性衬底

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇高德金
  • 10篇张丽杰
  • 10篇黄如
  • 8篇邝永变
  • 8篇于哲
  • 4篇唐昱
  • 2篇唐迫人
  • 2篇潘越
  • 2篇唐粕人

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种阻变存储器
本发明公开了一种阻变存储器，属于超大规模集成电路技术领域。本发明阻变存储器包括衬底，衬底上的下电极，下电极上的隔离层，嵌入隔离层中的功能层，和功能层上的上电极，其特征在于，所述功能层为硅氧化物SiOx层，其中0.5≤x＜...
张丽杰黄如高德金
文献传递
一种多态有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
文献传递
一种低电压阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(Si<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>N<Sub>z<...
黄如高德金张丽杰邝永变于哲唐昱潘越唐粕人
文献传递
一种多态有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Cu或者Ag纳米细丝。本发明引...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
一种柔性有机阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。...
黄如邝永变唐昱张丽杰高德金唐迫人于哲
一种有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均...
于哲黄如邝永变张丽杰高德金
一种有机阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均...
黄如于哲邝永变张丽杰高德金
文献传递
一种阻变存储器
本发明公开了一种阻变存储器，属于超大规模集成电路技术领域。本发明阻变存储器包括衬底，衬底上的下电极，下电极上的隔离层，嵌入隔离层中的功能层，和功能层上的上电极，其特征在于，所述功能层为硅氧化物SiOx层，其中0.5≤x＜...
张丽杰黄如高德金
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一种柔性有机阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。...
黄如邝永变唐昱张丽杰高德金唐迫人于哲
文献传递
面向嵌入式应用的新型阻变存储器的研究
随着微电子技术的不断发展,传统浮栅结构的FLASH技术将面临无法等比缩小的技术挑战。基于MIM(Metal-Insulator-Metal)结构的阻变存储器由于其结构简单、易于制备、尺寸小、集成度高、擦写速度快和功耗低等...
高德金
关键词：高温退火金属氧化物
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共2页<12>
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