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孙鹤

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇碳二
  • 4篇纳米
  • 4篇催化
  • 4篇催化剂
  • 3篇电池
  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇氧还原
  • 2篇双功能
  • 2篇双功能催化剂
  • 2篇配位
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇纳米片
  • 2篇纳米球
  • 2篇界面态
  • 2篇空气电池
  • 2篇化合物
  • 2篇化合物结构
  • 2篇活性位
  • 2篇活性位点

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇孙鹤
  • 6篇熊杰
  • 6篇陈伟
  • 2篇王向东
  • 2篇张波
  • 2篇邓小川

年份

  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种FeN<Sub>4</Sub>-CNT氧还原催化剂的制备方法
本发明提供一种FeN<Sub>4</Sub>‑CNT氧还原催化剂的制备方法，属于燃料电池和空气电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位，然后再碳化制备含FeN<Sub>4</Sub>的碳二维纳米片，通过含均匀分...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
文献传递
一种P-O掺杂Fe-N-C纳米片及其制备方法
本发明提供一种P‑O掺杂Fe‑N‑C纳米片及其制备方法，属于电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位，然后再碳化制备含FeN<Sub>4</Sub>的碳二维纳米片，以含P‑O键的化合物结构为前驱体，高温反应，最...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
文献传递
一种双金属原子中空碳纳米球催化剂及其制备方法
本发明提供一种FeCu‑N‑HC纳米球催化剂及其制备方法，属于空气电池催化材料领域。本发明制备中先形成FeCu‑N的配位，通过物理混合NaCl和SiO<Sub>2</Sub>纳米球模板，然后再碳化制备含FeCu‑N<Su...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
文献传递
基于异原子掺杂单原子材料的电催化机理及锌空电池应用的研究
电池在当今新能源技术的发展中非常引人关注。其中，锌空电池具有安全可靠，能量密度高，结构简单，价格便宜，绿色环保等优点，十分符合当前新能源电池的发展需求。锌空电池电化学反应中的电能并不能100%的转化为化学能，很大一部分是...
孙鹤
关键词：锌空电池
文献传递
一种双金属原子中空碳纳米球催化剂及其制备方法
本发明提供一种FeCu‑N‑HC纳米球催化剂及其制备方法，属于空气电池催化材料领域。本发明制备中先形成FeCu‑N的配位，通过物理混合NaCl和SiO<Sub>2</Sub>纳米球模板，然后再碳化制备含FeCu‑N<Su...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
一种FeN<Sub>4</Sub>-CNT氧还原催化剂的制备方法
本发明提供一种FeN<Sub>4</Sub>‑CNT氧还原催化剂的制备方法，属于燃料电池和空气电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位，然后再碳化制备含FeN<Sub>4</Sub>的碳二维纳米片，通过含均匀分...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
文献传递
一种P-O掺杂Fe-N-C纳米片及其制备方法
本发明提供一种P‑O掺杂Fe‑N‑C纳米片及其制备方法，属于电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位，然后再碳化制备含FeN<Sub>4</Sub>的碳二维纳米片，以含P‑O键的化合物结构为前驱体，高温反应，最...
熊杰孙鹤雷天宇陈伟王显福胡安俊晏超贻
高压LDMOS射频功率晶体管结构设计及实验研究
射频LDMOS器件由于其高耐压、高增益、实现工艺简单等优点，被广泛应用于移动通讯、雷达系统等领域。如今射频 LDMOS器件已经发展到第八代，设计者们通过不断优化器件工艺和结构来提高器件性能，由于国内设计水平还无法达到国际...
孙鹤
关键词：晶体管结构
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免...
邓小川孙鹤饶成元王向东张波
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免...
邓小川孙鹤饶成元王向东张波
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