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王向东

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电路
  • 3篇半导体
  • 3篇VDMOS器...
  • 2篇单片式
  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇碳化硅
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇微波集成
  • 2篇微波集成电路
  • 2篇界面态
  • 2篇宽带
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体器件
  • 2篇场强
  • 2篇超宽带
  • 1篇氮化镓

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇王向东
  • 4篇张健
  • 4篇李沫
  • 4篇刘洋
  • 4篇杨帆
  • 3篇张波
  • 3篇邓小川
  • 2篇孙鹤
  • 1篇文译
  • 1篇李轩

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高压碳化硅VDMOS器件的设计优化与实验研究
碳化硅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Vertical Double-diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tran...
王向东
关键词：碳化硅VDMOS器件静态特性数值仿真
文献传递
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免...
邓小川孙鹤饶成元王向东张波
文献传递
一种基于新型可调有源谐波抑制电路的微波功率放大系统
本发明公开了一种基于新型可调有源谐波抑制电路的微波功率放大系统，包括新型可调有源谐波抑制电路、微波晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络。该放大系统利用晶体管本征非线性寄生电容随工作点和输入信号改变的特性，与合适的无源结构组...
王向东张健李沫杨帆姜昊陈飞良刘洋
一种高对称性超宽带氮化镓功率放大器功率合成网络
本发明公开一种高对称性超宽带氮化镓功率放大器功率合成网络，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有的树形功率合成网络，在Ku波段，过长的二级功率合成传输线严重恶化了该功率合成网络的高频特性，无法满足高频、超宽带要求的问题；...
王向东张健李沫杨帆姜昊陈飞良刘洋
一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器
本发明公开一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有移相器Lange桥尺寸较大的问题，本发明采用平面螺旋宽带耦合网络和宽带相位补偿网络，实现移相电路紧凑布局；平面螺旋宽带耦合网络采用一级线...
王向东张健李沫杨帆姜昊陈飞良刘洋
Blog系统的设计与实现
随着Internet及Web技术的发展，众多基于Web的应用系统应运而生，悄然改变着人们的网络生活方式，Blog就是其中之一。Blog是web log（网志）的缩写，是一种基于Web的应用系统，用户以日志方式发布网页。B...
王向东
文献传递
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件
一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免...
邓小川孙鹤饶成元王向东张波
一种多级放大电路的稳定性计算判定方法
本发明属于单片式微波集成电路领域，特别涉及一种多级放大电路的稳定性计算判定方法，该方法基于多级放大电路中各级晶体管的预期直流偏置提取的参数，建立包含频率、直流偏置、S参数和端口阻抗的行为级矩阵模型，再根据行为级矩阵模型建...
王向东张健李沫杨帆姜昊陈飞良刘洋
一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定...
邓小川李轩王向东文译饶成元张波
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