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刘燕

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇相变存储
  • 13篇存储器
  • 12篇相变存储器
  • 9篇相变
  • 6篇二极管
  • 5篇二极管阵列
  • 4篇存储阵列
  • 3篇阵列器件
  • 2篇导数
  • 2篇导体
  • 2篇底电极
  • 2篇电极
  • 2篇电极接触
  • 2篇电路
  • 2篇电热
  • 2篇电热耦合
  • 2篇电压
  • 2篇电阻
  • 2篇读写
  • 2篇读写操作

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇宋志棠
  • 20篇刘燕
  • 14篇龚岳峰
  • 10篇凌云
  • 8篇刘波
  • 6篇李宜瑾
  • 2篇吴良才
  • 2篇吴关平
  • 2篇吕世龙
  • 2篇宋三年
  • 2篇张超
  • 2篇李宜谨
  • 2篇杨左娅
  • 2篇封松林
  • 2篇汪恒

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法
本发明涉及一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法，该方法包括以下步骤：步骤一、对要分析的各个相变材料进行测试，提取它们在同等升温速率下的电阻和温度关系曲线；步骤二、对各个相变材料的电阻和温度关系曲线的拟合函数进行一阶导...
宋志棠龚岳峰刘燕吴良才
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外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型
本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和...
刘燕宋志棠汪恒刘波
三维1D1R相变存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种三维1D1R相变存储器单元及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。该三维1D1R相变存储器单元包括：二极管层和绝缘层的周期性交替堆叠结构；光刻与刻蚀该堆叠结构所形成的深孔；在该深孔内壁及底部形成相变...
刘燕宋志棠
文献传递
相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法
本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰封松林
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相变存储单元及其制造方法
本发明提供一种相变存储单元及其制造方法，本发明在不增加工艺复杂度的情况下，巧妙简单地在第一下电极与相变材料层之间形成具有真空孔洞的第二下电极，提高器件的加热效率促使恰好能够实现RESET操作的有效操作区域减小，不仅降低功...
宋志棠龚岳峰刘燕刘波
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相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
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相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法
本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰封松林
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一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法
本发明提供一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法，所述三维堆叠相变存储阵列器件中，无结型晶体管的栅极采用控制栅极的阶梯式引出方式，形成SSL控制端，WL、BL和SSL的交界点处有一个相变存储单元，实现对每一个存储位点的...
刘燕宋志棠宋三年刘波
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一种相变存储器的模拟方法
本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为10<Sup>4</Sup>1/Ωm量级的固定值；当负载电压...
龚岳峰宋志棠凌云刘燕李宜瑾
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基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰李宜谨
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