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凌云

作品数：38 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 32篇相变存储
  • 30篇相变存储器
  • 30篇存储器
  • 17篇相变
  • 9篇二极管
  • 8篇读写
  • 8篇相变材料
  • 6篇电极
  • 6篇写操作
  • 5篇肖特基
  • 5篇肖特基二极管
  • 4篇导体
  • 4篇电极接触
  • 4篇读写操作
  • 4篇熔融
  • 4篇刻蚀
  • 4篇环境友好材料
  • 4篇兼容性
  • 4篇半导体
  • 4篇本征

机构

  • 33篇中国科学院
  • 6篇江苏大学
  • 1篇淮阴工学院

作者

  • 38篇凌云
  • 32篇宋志棠
  • 23篇龚岳峰
  • 16篇封松林
  • 14篇李宜瑾
  • 11篇刘波
  • 10篇刘燕
  • 4篇张挺
  • 4篇张超
  • 4篇程晓农
  • 3篇姜文娟
  • 2篇吴关平
  • 2篇吕世龙
  • 2篇蔡道林
  • 2篇丁晟
  • 2篇刘曦
  • 2篇李宜谨
  • 2篇杨左娅
  • 2篇陈小刚
  • 2篇李志华

传媒

  • 3篇化工新型材料
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇纳米科技
  • 1篇第八次全国热...

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 14篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法
本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位...
李宜瑾宋志棠凌云张超
文献传递
Sb_2S_3纳米棒的制备及其性能研究被引量：1
2009年
以SbCl3和Na2S2O3为反应物,用水热合成法成功的制备了直径约100-500nm,长为几十微米的单晶纳米棒。产物的能量分散光谱（EDS）、X-射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）分析显示纳米棒是锑和硫原子比为2∶3的化合物,属正交晶系,晶体沿[001]方向生长。差热分析（DSC）显示Sb2S3纳米棒在548.9℃处有吸热峰,此外,吸收光谱表明产物的禁带宽度为1.58eV,适用于太阳能和光电应用领域。
李志华凌云姜文娟程晓农
关键词：水热合成纳米棒正交晶系
使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性...
李宜瑾凌云宋志棠封松林
文献传递
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
文献传递
相变存储单元器件的复合电极结构
本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现...
宋志棠丁晟刘波凌云陈小刚蔡道林封松林
文献传递
稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法
本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于3nm，并且小于等于d，d为擦操作时在...
龚岳峰宋志棠凌云张挺刘波李宜瑾
文献传递
一种管状相变存储器单元结构及制作方法
本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同...
凌云宋志棠封松林
文献传递
多态相变存储器单元器件及制备方法
本发明提供的电阻变化显著的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩...
宋志棠凌云龚岳峰刘波封松林
文献传递
用于相变存储器的Si－Sb－Se相变薄膜材料
本发明揭示了一种用于相变存储器的Si－Sb－Se相变薄膜材料，其组分为Si<Sub>c</Sub>Sb<Sub>a</Sub>Se<Sub>b</Sub>，其中，48≤b≤60，20≤ a≤40，8≤c≤40，a+b+c...
凌云龚岳峰宋志棠封松林
文献传递
基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极...
刘燕宋志棠凌云龚岳峰李宜谨
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