李宜瑾
- 作品数：16 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 相变存储器中选通二极管的模型与优化
- 2010年
- 设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V。文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足RESET操作的电流。
- 李宜瑾凌云宋志棠贾晓玲罗胜钦
- 关键词：相变存储器数值模拟
- 相变存储器中驱动二极管之间串扰电流的分析与减小方法
- 2010年
- 由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SM IC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流。
- 李宜瑾凌云宋志棠龚岳峰罗胜钦贾晓玲
- 关键词：相变存储器TCAD
- 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性...
- 李宜瑾凌云宋志棠封松林
- 文献传递
- 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
- 一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
- 李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
- 文献传递
- 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法
- 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维...
- 龚岳峰宋志棠凌云吕世龙刘燕李宜瑾
- 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法
- 本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位...
- 李宜瑾宋志棠凌云张超
- 文献传递
- 一种相变存储器的模拟方法
- 本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为10<Sup>4</Sup>1/Ωm量级的固定值；当负载电压...
- 龚岳峰宋志棠凌云刘燕李宜瑾
- 文献传递
- 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法
- 本发明涉及一种稳定阈值电压的低功耗的相变存储器及其制造方法，该相变存储器包括：上电极、下电极、位于上、下电极之间的相变材料层以及与所述相变材料层接触的保温层；所述相变材料层的厚度大于3nm，并且小于等于d，d为擦操作时在...
- 龚岳峰宋志棠凌云张挺刘波李宜瑾
- 文献传递
- 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管由四层不同特性...
- 李宜瑾凌云宋志棠封松林
- 文献传递
- 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
- 一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
- 李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
