刘启佳
- 作品数：11 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- MOCVD生长的全组分InGaN材料被引量：2
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测试结果表明:富Ga的InGaN薄膜具有较好的晶体质量,背景电子浓度基本均比富In的InGaN低一个数量级。同时,结合光致发光谱和光学透射谱研究了InGaN合金带隙随In组分的变化关系。
- 徐峰吴真龙邵勇徐洲刘启佳刘斌谢自力陈鹏
- 关键词：INGANX射线衍射原子力显微镜X射线光电子能谱喇曼散射
- 生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使V型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.
- 刘启佳邵勇吴真龙徐洲徐峰刘斌谢自力陈鹏
- 关键词：金属有机物化学气相沉积生长温度
- P型AlxGa1-xN(0≤x≤0．31)薄膜光电学性质研究
- 本文研究的 AlGaN:Mg(0≤x≤0.31)薄膜采用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长,通过在氮气中非原位退火得到 P 型导通。室温下 Hall 测量显示,P 型载流子浓度从接近10cm (x=0)下降至1...
- 刘斌张荣谢自力张曾李亮刘启佳赵红修向前陈鹏陆海顾书林江若琏韩平施毅郑有炓
- 关键词：ALGANCL
- 文献传递
- MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜被引量：3
- 2007年
- 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13
- 刘斌张荣谢自力张禹李亮张曾刘启佳姚劲周建军姬小利修向前江若琏韩平郑有炓龚海梅
- 关键词：ALGAN薄膜生长
- Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长被引量：1
- 2007年
- 文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂A lGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂A lGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温A lN插入层能有效调节应力,并提高薄膜质量,降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下,随着A l组分的上升,材料中出现大量岛状晶核,粗糙度变大,晶体质量下降,由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现A l组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升;Mg的掺杂对于刃位错有显著影响,而A l组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究,发现对于P型A l0.1Ga0.9N样品,900℃为比较理想的退火温度。
- 姚靖谢自力刘斌韩平张荣江若琏刘启佳徐峰龚海梅施毅郑有炓
- 关键词：RAMAN光谱
- AIN和AIGaN及布拉格反射镜的生长研究
- Ⅲ族氮化物半导体材料包括AlN、GaN、InN以及它们的三元、四元合金化合物。其中的AlN、AlGaN材料由于在紫外、深紫外波段的广阔的应用前景，近年来迅速成为半导体领域的一大研究热点。而如何获得高质量的AlN、AlGa...
- 刘启佳
- 关键词：MOCVD生长成核机理布拉格反射镜
- C面宝石基MOCVD生长的InN薄膜的In分凝现象的研究
- 研究了 InN 薄膜在不同生长条件下的的物理特性。利用 MOCVD 方法在
- 徐峰谢自力陈敦军刘斌刘启佳江若涟张荣郑有阧
- 关键词：MOCVDAFMXPS
- 文献传递
- MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜
- 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13＜x＜0.8)。扫面电子显微镜(SEM)照片表明生长的AlN插入层有效地调节了AlGaN层与GaN支撑层的应力,...
- 刘斌姬小利修向前江若琏韩平郑有炓张荣谢自力李亮张曾刘启佳姚劲周建军龚海梅张禹
- 关键词：半导体薄膜薄膜生长
- 文献传递网络资源链接
- Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
- 关键词：热退火表面形貌阴极射线发光
- MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
- 徐峰陈敦军张荣谢自力刘斌刘启佳江若涟郑有阧
- 关键词：X射线衍射原子力显微镜X射线光电子谱RAMAN散射
