冀子武
- 作品数：23 被引量：9H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 相分离的InGaN量子阱中载流子的传输和复合发光机制
- GaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的载流子输运过程和发光机制,对进一步研发高效率、高性能相关光电器件至关...
- 冀子武
- 关键词：激子斯塔克效应
- 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
- 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置，用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光...
- 冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
- 文献传递
- 电流强度和温度对InGaN/GaN多量子阱发光特性的影响
- InGaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的发光机制,对进一步研发相关光电器件至关重要[1-3].
- 冀子武
- 掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应
- 2008年
- 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.
- 冀子武三野弘文音贤一室清文秋本良一嶽山正二郎
- 关键词：光致发光二维电子气
- 超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性被引量：1
- 2011年
- 报道了液态氦温度(4.2K)下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的PL强度减小,反之,当激子的强度减小时带电激子的强度却增加.并且在整个磁场范围内,这些振动呈现近似等间隔的周期性变化.这个行为被解释为费米能级与朗道能级的周期性共振,这个共振导致了处于费米能级上的二维电子气态密度的周期性调制.
- 冀子武郑雨军徐现刚
- 关键词：光致发光二维电子气
- InGaN多量子阱中载流子的传输和复合发光机制被引量：2
- 2013年
- 利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上生长了多量子阱结构的InGaN/GaN薄膜,并对其光致发光(PL)特性进行了研究。结果显示该样品的PL谱中有两个主要发光成分,这两个发光成分被认为是分别来自InGaN阱层中的两个分离的相:低In的InGaN母体和富In的量子点,并且它们的积分强度强烈地依赖测试温度和激发功率。这个行为被解释为GaN和InN之间较低的互溶隙导致了InGaN阱层的相分离,并且在这两个相之间存在着光生载流子的传输过程。
- 王梦琦栾梦恺孙虎王绘凝冀子武
- 关键词：光致发光量子点
- 关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究被引量：2
- 2014年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定.
- 王雪松冀子武王绘凝徐明升徐现刚吕元杰冯志红
- 关键词：INGAN/GAN发光效率内量子效率
- 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法
- 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，...
- 冀子武屈尚达李睿时凯居徐明升王成新徐现刚
- 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
- 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光谱...
- 冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
- 文献传递
- 具有相分离的InGaN基蓝绿双波长纳米柱LED制备及光学特性研究
- 王强王雪松冀子武
