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调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子被引量：2: 2008年; 报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass(SdH)振荡.这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气;它具有type-ⅡQW所特有的带电激子的特征.; 冀子武鲁云陈锦祥三野弘文秋本良一嶽山正二郎; 关键词：光致发光二维电子气

掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应: 2008年; 报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.; 冀子武三野弘文音贤一室清文秋本良一嶽山正二郎; 关键词：光致发光二维电子气

调制n型掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构的发光特性被引量：3: 2008年; 报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-IIQW)在极低温至室温(1.4—296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子(X)的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.PL光谱及其直线偏振度Pl都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场.这个特征被认为是由n型掺杂导致了内秉电场(built-inelectric field)消失及外加电场引起斯塔克效应(Stark effects)所致.还用外加电场方法证明了内秉电场的存在.超强磁场(高达180T)下的回旋共振(CR)测量证实了掺杂样品中确实存在着较高浓度的二维电子气,并且这些电子受限于ZnSe阱层中.以上实验结果显示在掺杂样品中同时观察到了Ⅰ型(空间直接)跃迁和Ⅱ型(空间间接)跃迁中的带电激子特征,同时也显示了所用样品达到了预期的设计目的.; 冀子武三野弘文小嶋映二秋本良一嶽山正二郎; 关键词：二维电子气

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三野弘文