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陈寰贝

作品数:51 被引量:55H指数:4
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 6篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 23篇封装
  • 22篇陶瓷
  • 11篇金属化
  • 10篇基板
  • 10篇封装外壳
  • 9篇氮化
  • 8篇氮化铝
  • 6篇陶瓷外壳
  • 5篇多层陶瓷
  • 5篇氧化铝
  • 5篇散热
  • 5篇瓷件
  • 4篇电子陶瓷
  • 4篇三维封装
  • 4篇散热通道
  • 4篇微系统
  • 4篇芯片
  • 4篇化学镀
  • 4篇功率
  • 4篇

机构

  • 41篇中国电子科技...
  • 9篇南京电子器件...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 50篇陈寰贝
  • 18篇庞学满
  • 16篇夏庆水
  • 10篇程凯
  • 9篇梁秋实
  • 7篇陈宇宁
  • 5篇唐利锋
  • 5篇周昊
  • 5篇王子良
  • 4篇曹坤
  • 3篇唐利锋
  • 3篇李永彬
  • 3篇龚锦林
  • 3篇刘玉根
  • 2篇程凯
  • 2篇戴洲
  • 2篇许丽清
  • 2篇钟明全
  • 2篇张鹏飞
  • 1篇郭玉红

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 3篇真空电子技术
  • 2篇电子与封装
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇全国电子陶瓷...

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 9篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
以YbH_(2)-MgO体系为烧结助剂制备高热导率高强度氮化硅陶瓷被引量:8
2021年
以YbH_(2)-MgO体系为烧结助剂,采用两步法烧结制备了高热导率高强度氮化硅陶瓷,研究了YbH_(2)-MgO对氮化硅致密化行为、相组成、微观形貌、热导率和抗弯强度的影响。在预烧结阶段,YbH_(2)在还原SiO_(2)的同时原位生成了Yb_(2)O_(3),进而形成“缺氧–富氮”液相。该液相不仅有利于晶粒的生长,更有利于阻碍晶格氧的生成,相较于Yb_(2)O_(3)-MgO助剂体系,β-Si_(3)N_(4)晶粒尺寸更大,晶格缺陷更少,低热导晶间相更少,在1900℃保温24 h后,热导率最优可达131.15 W·m^(–1)·K^(–1),较Yb_(2)O_(3)-MgO体系提升13.7%。用YbH_(2)代替Yb_(2)O_(3),在低温条件下烧结制备得到的氮化硅抗弯强度有所改善,在1800℃保温4 h的抗弯强度可达(1008±35)MPa;但在高温烧结时强度略有下降,这与微观结构的变化密切相关。研究表明,YbH_(2)-MgO体系是制备高热导率高强度氮化硅陶瓷的有效烧结助剂。
王为得陈寰贝李世帅姚冬旭左开慧曾宇平
关键词:氮化硅热导率抗弯强度
一种射频微系统三维封装外壳结构以及制作方法
本发明涉及一种射频微系统三维封装外壳结构以及制作方法,外壳本体采用BGA封装,外壳本体包括方型壳体,方型壳体包括陶瓷底座,在陶瓷底座内形成方形壳体的内腔,且内腔的开口未封闭;在陶瓷底座上固设焊环;在方型壳体内腔的四个侧壁...
庞学满陈寰贝梁秋实
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一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法
本发明涉及一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法,其基板结构上下表层为高精度、高密度金属化焊盘;基板侧壁为满金属化;基板内部存在多层金属化布线。上下表层金属化焊盘与硅基芯片球栅焊接;侧壁满金属化实现信号屏蔽;基...
陈寰贝陈骏夏庆水
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一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法
本发明涉及一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计,包括高温氧化铝共烧陶瓷片、陶瓷端封孔、金属化连筋图形、应力释放槽和金属化侧壁印刷,在陶瓷墙端封区域设有金属化连筋图形,同时在烧结成型前制作应力释放槽,达到金属‑陶瓷钎焊...
莫仲陈宇宁陈寰贝龚锦林
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应用于高频电路的低损耗高温共烧氧化铝黑瓷的制备方法
本发明是一种应用于高频电路的低损耗高温共烧氧化铝黑瓷的制备方法,它是采用92%~95%的氧化铝含量,使用粘土、滑石粉和碳酸钙作为助烧剂,使用三氧化二铬、二氧化钛和三氧化钼作为着色剂的一种黑瓷的制备方法。利用合理的三元着色...
夏庆水庞学满陈寰贝程凯
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一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法
本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法,包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷,共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是:陶瓷采用中温烧结技术,可在122...
陈杨李欣源陈骏陈寰贝黎超群
一种微波功率管用氮化铝基板及其制造方法
本发明是一种微波功率管用氮化铝基板,其结构表层金属布线;孔侧壁金属化;底面接地满金属化,在表层金属化上进行多管芯的焊接与互联,通过孔侧壁金属化与底面满金属化满足接地的需求;利用多层共烧工艺,选用氮化铝陶瓷作为陶瓷基体材料...
陈寰贝夏庆水
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一种陶瓷封接电源封装外壳
本发明是一种陶瓷封接电源封装外壳,其结构是外壳主体上有掏空部分,掏空部分内植入应力过渡片,陶瓷绝缘子通过金属应力过渡片与外壳主体连接,引针穿接在陶瓷绝缘子内部,各部分的连接都通过AgCu焊料钎焊而成。其制备方法,包括1)...
陈寰贝陈宇宁程凯
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AlN的厚膜铜金属化及其结合机理被引量:2
2017年
采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行了研究;测试了不同烧结温度下金属化基板的敷接强度,并探究了界面层的形成过程以及对敷接强度的影响。结果表明:烧结过后,厚膜层的主要成分是CuO和Cu_2O;经过还原处理后,其表面成分转变为金属Cu;同时,随着烧结温度的上升,烧结后的厚膜层和还原后的金属化层的致密度均呈现先增加后降低的趋势,金属化铜层与基板之间的敷接强度也呈现相同的变化趋势。另外,在金属化铜层和AlN基板之间存在界面化合物,其主要成分是Cu_2O和中间化合物(CuAlO_2和CuAl_2O_4),其中,Cu_2O对敷接强度不利,而尖晶石结构的CuAl_2O_4和细小薄片状的CuAlO_2对敷接强度的有利。
张鹏飞傅仁利陈寰贝梁秋实
关键词:ALN基板
多层陶瓷双面孤立凸台结构成型方法
本发明是一种多层陶瓷双面孤立凸台结构成型方法,采用生瓷片余料作为底层孤立凸台结构的限位模具,并为上层陶瓷提供支撑;利用同样的方法对顶层孤立凸台结构进行限位;同时利用表面做过处理的聚酯膜置于余料与多层陶瓷之间,防止层压过程...
梁秋实陈寰贝
文献传递
共5页<12345>
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