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陈克金
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信息产业部
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合作作者
顾炯
信息产业部
盛文伟
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李祖华
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陈克金
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顾炯
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1篇
2002
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C波段8W、16W功率砷化镓场效应晶体管
陈克金
盛文伟
顾炯
傅炜
李祖华
该成果研制过程突破了下列创新工艺技术:用全离子注入技术,在Φ50毫米的半绝缘砷化镓衬底上形成有源层,从而确保有源层的均匀性;采用扩散阻挡层的欧姆接触,避免了功率砷化镓场效应晶体管欧姆接触退化问题;采用0.5微米“r”型栅...
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砷化镓晶体管
微波通信
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