郑泽伟
- 作品数：16 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：12
- 2002年
- 用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相 。
- 周慧梅沈波周玉刚刘杰郑泽伟钱悦张荣施毅郑有炓曹春海焦刚陈堂胜
- 关键词：欧姆接触界面固相反应金属
- ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽
- 1999年
- 通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常重要的作用。
- 郑泽伟范希武郑著宏杨宝均
- 关键词：多量子阱激子
- Ⅲ族氮化物AlGaN/GaN异质结构输运性质研究
- Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料.该论文采用MOCVD生长技术制备出高质量的Al<,x>Ga<,1...
- 郑泽伟
- 文献传递
- Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象被引量：3
- 2005年
- 在低温 (1 5K— 2 5K)和强磁场 (0— 10T)条件下 ,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN GaN异质结构进行磁输运测量 .在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象 .根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式 ,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的 .
- 姚炜仇志军桂永胜郑泽伟吕捷唐宁沈波褚君浩
- 关键词：氮化镓半导体
- Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
- 2001年
- 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
- 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：C-V特性铁电薄膜ALXGA1-XN/GAN
- Pb(Zr<sub>0.53</sub>Ti<sub>0.47</sub>)O<sub>3</sub>/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1
- 2001年
- 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。
- 沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓Someya TArakawa Y
- 关键词：C-V特性铁电薄膜ALXGA1-XN/GAN
- Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
- 2001年
- 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为 7 2× 1 0 12 cm-2 。通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究 ,说明在 1 5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用。
- 郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩Someya TArakawa Y
- 关键词：二维电子气
- II-VI多量子阱中局域化激子的受激发射
- 1998年
- 通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品受激发射过程都是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程，但在Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｅ－ＺｎＴｅ中发现了激子－激子散射的受激发射过程，而在Ｚｎ０．７８Ｃｄ０．２２Ｔｅ－ＺｎＴｅ中没有发现这一受激发射的激子过程。ｘ＝０．６７的样品中具有较高的局域化激子密度，其受激发射具有较高的阈值。
- 郑泽伟石汉青范希武郑著宏郑著宏
- 关键词：多量子阱局域化激子受激发射半导体激光器
- 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
- 2003年
- 通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 .结果发现在小偏压下 ,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降 ,说明势垒层中存在表面态 .实验数据分析表明 :表面态密度约为 10 13 cm-2 量级 ,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大 .随着空间隔离层厚度的增加 ,势垒层中其他局域态密度随之增加 .在金属电极和Al0 2 2 Ga0 78N势垒层之间加入Si3 N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用 ,使表面态密度降为～ 10 12 cm-2
- 刘杰沈波周玉刚周慧梅郑泽伟张荣施毅郑有炓
- 关键词：势垒层表面态
- Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究被引量：4
- 2004年
- 通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0 2 2 Ga0 78N GaN调制掺杂异质结构中 2DEG的子带占据性质和子带输运性质 .在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象 ,并发现 2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系 .得到了该异质结构中第二子带被 2DEG占据的阈值电子浓度为 7 3× 10 1 2 cm- 2 .采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率 .发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降 ,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率 .用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象 .同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1 -xN GaN异质结构中
- 郑泽伟沈波桂永胜仇志军唐宁蒋春萍张荣施毅郑有炓郭少令褚君浩
- 关键词：二维电子气
