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许佳佳: 作品数：17 被引量：28H指数：3; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>; 相关领域：电子电信理学交通运输工程轻工技术与工程更多>>

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高灵敏度Ⅱ类超晶格长波红外探测系统研究被引量：3: 2019年; 以Ⅱ类超晶格320×256长波红外探测器为核心部件,开发了一套高灵敏度长波红外探测系统.介绍了Ⅱ类超晶格红外探测器的技术指标及系统的主要结构和工作方式.为充分发挥该红外探测器的灵敏度,设计了高灵敏度信息获取系统,并介绍了该信息获取系统的软硬件设计.该信息获取系统采用了自适应信号调理技术,以降低信息获取噪声,提升探测系统的灵敏度和动态范围.最后对整套长波红外探测系统开展了信息获取噪声测试、系统性能测试及外场成像实验.实验结果表明:长波红外探测系统的信息获取噪声低至0. 065 m V,系统的噪声等效温差(NETD)达到19. 6 m K,黑体探测率为7. 72×1010,外场成像质量良好,图像细节清晰,对比度高.该长波红外探测系统有利于推动Ⅱ类超晶格红外探测器在高灵敏度长波红外遥感探测中的应用.; 饶鹏张磊赵云峰赵云峰许佳佳许佳佳; 关键词：光电探测系统长波红外高灵敏度

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量：2: 2019年; 报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。; 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新; 关键词：刻蚀焦平面

长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量：11: 2013年; 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.; 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力; 关键词：暗电流

一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法: 本发明公开了一种红外焦平面芯片的铟柱制备方法，使用负性光刻胶光刻获得塔形铟孔，热蒸发生长铟膜，湿法剥离得到铟柱。本发明的优点是铟柱制备工艺简单，极易湿法剥离，重复性好；适用于大规模红外焦平面的铟柱阵列制备，能获得高度一致...; 许佳佳陈建新马伟平潘建珍李宁白治中; 文献传递

InAs/GaAsSb带间级联中波红外焦平面研究被引量：9: 2019年; 针对高工作温度红外探测器的迫切需求,设计并利用分子束外延技术制备了高晶格质量的2级带间级联中波红外探测材料,带间级联单元器件在最高323 K下可以测试到清晰的响应光谱,140 K下暗电流密度达到4×10^-5A/cm^-2.并在此基础上利用干法刻蚀技术实现了320×256规模的台面型带间级联红外焦平面原型器件.焦平面测试结果表明其在80-120K范围内量子效率达到30%,127 K下噪声等效温差为55.1 mK,盲元率为2.3%.采用该焦平面器件在127 K下获得了较为清晰的演示性室温目标红外热成像.; 周易柴旭良田源徐志成黄敏许佳佳黄爱波白治中陈红雷丁瑞军陈建新何力; 关键词：红外焦平面

128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器被引量：3: 2012年; 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100%截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109cmHz1/2W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.; 许佳佳金巨鹏徐庆庆徐志成靳川周易陈洪雷林春陈建新何力; 关键词：长波红外探测器 GASB 焦平面阵列

InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究: 2023年; 开展了In As/Ga SbⅡ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05 V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88×10^(-1)A/cm^(2)降低至4.09×10^(-2)A/cm^(2),零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×1011cm-2。; 崔玉容周易黄敏王芳芳王芳芳徐志成许佳佳陈建新; 关键词：长波红外探测器表面处理

256×1元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器: InAs/GaSbⅡ类超晶格是近年来迅速发展起来的Ⅲ-V族红外探测器，根据理论计算，超晶格红外探测器在长波波段的探测性能更有优势，近年来，InAs/GaSbⅡ类超晶格长波红外焦平面探测器的关键性能获得了迅速提高，显示了优...; 许佳佳周易徐志成白治中王芳芳徐庆庆曹妩媚陈建新何力; 关键词：分子束外延技术; 文献传递

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波双色焦平面研制: 双色焦平面器件能对双波段辐射信息进行处理，能大大提高系统抗干扰和目标识别能力.Ⅱ类超晶格带隙可调，且波长的调节是通过改变超晶格材料的厚度来实现的，十分有利于双色材料和器件的制备.本研究中/中波双色超晶格焦平面器件采用N-...; 白治中陈建新徐志成周易许佳佳陈洪雷丁瑞军何力