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詹瞻

作品数:41 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 40篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 39篇晶体管
  • 29篇场效应
  • 29篇场效应晶体管
  • 25篇逻辑器件
  • 24篇沟道
  • 11篇栅结构
  • 11篇掺杂
  • 9篇低功耗
  • 9篇功耗
  • 8篇介质层
  • 8篇MOS晶体管
  • 7篇电流
  • 7篇电路
  • 7篇势垒
  • 7篇集成电路
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基势垒
  • 6篇衬底
  • 6篇衬底材料
  • 5篇有源

机构

  • 41篇北京大学

作者

  • 41篇詹瞻
  • 40篇黄如
  • 38篇黄芊芊
  • 30篇王阳元
  • 18篇邱颖鑫
  • 4篇吴春蕾
  • 4篇王佳鑫
  • 2篇毛翔
  • 2篇江文哲
  • 2篇黄欣

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 8篇2013
  • 13篇2012
  • 12篇2011
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种复合机制的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管通过改变栅形貌,利用条形栅两侧的PN结耗尽效应使得栅下表面沟道能带提...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫詹瞻王阳元
文献传递
基于标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法
本发明提供了一种利用标准CMOS IC工艺制备互补隧穿场效应晶体管的方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法利用标准CMOS IC工艺中的互补P阱和N阱掩膜版,用于注入形成阱、...
黄如黄芊芊詹瞻邱颖鑫王阳元
文献传递
一种T型栅结构的低功耗隧穿场效应晶体管
本发明提供了一种低功耗隧穿场效应晶体管TFET,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明TFET包括源、漏和控制栅,其中,控制栅向源极端延展成T型,该T型控制栅由延展出来的栅区和原控...
詹瞻黄芊芊黄如王阳元
新型超低功耗隧穿场效应晶体管的研究
随着IC技术不断发展,半导体器件尺寸进入纳米尺度,泄漏电流所带来的静态功耗以及开关过程中引入的动态功耗急剧增大,这成为制约集成技术进一步发展的主要因素。为了进一步降低静态功耗以及动态功耗,需要提出新型超低功耗器件在降低电...
詹瞻
关键词:场效应晶体管
一种抑制双极效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抑制双极效应的隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管的漏区与沟道区采用不同的半导体材料,并且漏区的禁带宽度要大于沟道区的禁带宽度,可以有效抑制双极效应,并且降低了器件的亚阈泄漏电流,同时又...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管的高掺杂源区由P<Sup>+</Sup>高掺杂区和N<Sup>+</Sup>高掺杂区两部分组成,并巧妙地通过版图的变化实...
黄如黄芊芊詹瞻王阳元
一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管利用垂直沟道区三面包围的高掺杂源区提供的PN结能有效耗尽沟道区,使得栅下表面...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫詹瞻王阳元
文献传递
隧穿电流放大晶体管
本发明公布了一种隧穿电流放大晶体管,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿电流放大晶体管包括半导体衬底、发射极、漏极、浮空隧穿基极以及控制栅,所述漏极、浮空隧穿基极以及控制栅构成一个常...
黄如詹瞻黄芊芊王阳元
一种梳状栅复合源MOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种结合肖特基势垒和梳状栅结构的复合源MOS晶体管及其制作方法。该复合源MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区,在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个肖...
黄如黄芊芊詹瞻王阳元
文献传递
一种双围栅结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的晶体管具有双围栅结构,一个外围栅(outer gate)和一个内围栅(inner gate),以及垂直半导体衬底的环状沟道区、环状的源区和环状的漏区。其中内围栅包括内...
黄如邱颖鑫詹瞻黄芊芊
文献传递
共5页<12345>
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