滕建勇
- 作品数:24 被引量:94H指数:6
- 供职机构:上海师范大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市哲学社会科学规划课题更多>>
- 相关领域:电子电信文化科学核科学技术政治法律更多>>
- 芯片尺度封装中焊线的应力分析研究被引量:12
- 2003年
- 芯片尺度封装(CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。通过对WB-CSP器件中金线(GoldWire)所受应力的有限元模拟,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关。结果表明:由于热失配引起的金线应力最大处位于金线根部位置,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最大,最有可能发生断裂,引起器件的失效。模拟结果与实际失效情况相一致。此外,发现:当环氧树脂塑封料热膨胀系数为1.0×10-5/oC时,金线最大等效应力出现最小值,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的1/6;随着金线半径减小、焊点增大,金线所受应力也将减小。模拟结果对于WB-CSP封装设计具有一定的指导意义。
- 滕建勇金玮张奇桑文斌
- 关键词:芯片尺寸封装有限元模拟环氧树脂应力分析微电子封装
- CZT Frisch栅探测器前置放大器的设计被引量:1
- 2008年
- CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器,成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch栅探测器的前置放大器。并给出了测试结果。
- 施朱斌桑文斌钱永彪滕建勇闵嘉华樊建荣刘积善
- 关键词:前置放大器CZT
- 一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置
- 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置,属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术,将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中,并藉真空抽气系统,保持其真空度...
- 闵嘉华桑文斌戴灵恩王长君梁小燕施朱斌钱永彪滕建勇秦凯丰
- 文献传递
- 当前影响高校稳定的因素、特征及工作重点被引量:1
- 2011年
- 高校稳定是社会稳定的重要组成部分,新形势下维护高校稳定至关重要。维护高校稳定,必须要认真抓好稳定工作前瞻性研判,立足增强工作的主动性、前瞻性。应从从当前高校稳定现状的研判入手,通过对高校师生、教育主管部门的调研、走访,深入分析当前影响高校稳定的各种因素,把握新形势下高校稳定工作的特征和规律,找准当前高校稳定工作亟待解决的重点和难点问题。
- 滕建勇
- 关键词:高校稳定影响因素
- 热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)被引量:3
- 2007年
- 对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10^-4Pa,退火时间达48h后,电阻率可以提高到2.6×10^9Ω·cm。
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛钱永彪滕建勇樊建荣李万万张斌金玮
- 关键词:CDZNTE
- 高温绝缘涂料及其应用举例被引量:7
- 2001年
- 介绍一种能耐高温和绝缘的涂料及应用于汽车点烟器发热线圈电热丝表面绝缘处理工艺。其工艺简单、高温下绝缘效果良好,符合设计要求。
- 滕建勇许名裕
- 关键词:绝缘涂料高温电热丝
- 高校学生生活园区文化融合机制研究被引量:9
- 2009年
- 随着高等教育改革的不断深入,学生生活园区逐渐成为大学生思想政治教育的重要平台和阵地,因而学生生活园区的内涵建设也日益凸显出来,其中的核心问题就是学生生活园区的文化建设。然而,在学生生活园区建设发展过程中也存在不少矛盾与冲突,究其原因,往往与学生生活园区的文化建设不足有关,这些冲突给学生培养与园区的和谐发展带来了不利的影响。为了避免和消解生活园区文化建设中的冲突,加强生活园区的文化建设,我们必须在坚持社会主义核心价值体系的基础上实现学生生活园区文化的融合性建设。
- 滕建勇
- 关键词:高校学生生活园区文化建设和谐校园文化文化融合
- CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响被引量:1
- 2008年
- 通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×10^(17)cm^(-3)时,得到了电阻率达1.89×10^(10)Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
- 袁铮桑文斌钱永彪刘洪涛闵嘉华滕建勇
- 关键词:核探测器CDZNTE电学性能
- 带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法,这种器件在共面栅阳极器件上,增加一个电容栅,形成共面栅阳极-电容栅复合结构碲锌镉核探测器件,即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构,阴...
- 闵嘉华桑文斌夏军钱永彪滕建勇樊建荣陆玥周晨莹胡冬妮
- 文献传递
- CSP封装中有限元模拟应力分析研究
- 随着信息科学技术的迅猛发展,集成电路封装已越来越显示出它的重要性.芯片尺寸封装(CSP)是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术.该文用有限元分析软件—ANSYS对CSP和SCSP器件中的热应力进行模拟分析,研究结果为进一...
- 滕建勇
- 关键词:芯片尺寸封装有限元分析三维封装应力
- 文献传递