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樊照田

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇掩模
  • 3篇移相掩模
  • 3篇光刻
  • 3篇T形栅
  • 2篇图形尺寸
  • 2篇微光刻
  • 2篇位相
  • 2篇位相差
  • 2篇光刻胶
  • 1篇移相掩模技术
  • 1篇光学光刻
  • 1篇PEL

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 3篇王维军
  • 3篇王育中
  • 3篇张倩
  • 3篇韩安云
  • 3篇樊照田
  • 3篇田振文
  • 1篇陈宝钦

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法,它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸,进行光刻工艺模拟和优化设计,仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模,只...
韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
文献传递
用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法，它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸，进行光刻工艺模拟和优化设计，仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模，只...
韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
文献传递
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
2002年
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
韩安云王育中王维军张倩田振文樊照田陈宝钦崔 铮
关键词：光学光刻移相掩模T形栅
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