韩安云
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 反差增强材料最大吸收波长的经验估算
- 1991年
- 本文分析了二芳基硝酮、二芳基乙烯、二芳基偶氮化合物以及芳族重氮化合物的最大吸收波长(λmax)与环上取代基的Hammett σ系数之间的关系。发现λmax的红移量与Σ|σ|之间有强相关性。并提出一种经验估算法,用于判断某些反差增强材料的λmax。列出了若干估算实例,说明本方法有一定准确性和实用意义。
- 韩安云田振文
- 关键词：刻蚀抗蚀剂
- 用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
- 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法，它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸，进行光刻工艺模拟和优化设计，仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模，只...
- 韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
- 文献传递
- 用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
- 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法,它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸,进行光刻工艺模拟和优化设计,仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模,只...
- 韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
- 文献传递
- 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术
- 本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.
- 韩安云王育中王维军张倩陈宝钦崔铮
- 关键词：光学光刻移相掩模T形栅
- 文献传递
- 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
- 2002年
- 根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
- 韩安云王育中王维军张倩田振文樊照田陈宝钦崔 铮
- 关键词：光学光刻移相掩模T形栅
- 波前工程与光学超分辨被引量：2
- 1998年
- 对光学曝光技术的主要进展、波前工程概念和实现光学超分辨的基本途径等进行了论述。
- 韩安云
- 关键词：光刻IC
