王维军
- 作品数：8 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
- 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法，它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸，进行光刻工艺模拟和优化设计，仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模，只...
- 韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
- 文献传递
- 电子束纳米光刻技术研究
- 纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一.我们使用VB5电子束曝光系统,经过工艺研究,现已研究出最细分辨率剥离金属条为17nm,最小剥离电极间距为10nm,最细T型栅为10...
- 刘玉贵王维军罗四维
- 关键词：电子束光刻纳米光刻
- 文献传递
- 用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法
- 本发明公开了一种用一次光刻产生T形栅的移相掩模光刻方法,它涉及半导体器件中的微光刻方法。它采用计算机对移相掩模的图形尺寸,进行光刻工艺模拟和优化设计,仅用一块由三个光学位相差互为180°的透明窗口构成的T形栅移相掩模,只...
- 韩安云张倩王维军王育中田振文樊照田
- 文献传递
- 基于薄层SOI材料的NEMS结构制备技术
- 2009年
- 提出一种基于薄层SOI材料的NEMS(nano-electro-mechanical-system)结构制备技术。通过大量实验研究,突破了电子束光刻、ICP刻蚀、CO2超临界干燥释放等工艺技术,可以在常规的薄层SOI材料上加工出任意复杂形状的NEMS结构。作为工艺验证器件,利用该技术在薄层SOI材料上成功实现了梳齿结构NEMS谐振器的样品制备。扫描电镜结果表明,谐振器厚度95nm,谐振梁宽度95nm,梳齿宽度128nm,梳齿间隙83nm,该加工技术可以实现结构完整、完全释放的NEMS结构。
- 罗蓉杨拥军王维军刘玉贵罗四维
- 关键词：SOI电子束光刻ICP
- 电子束制作3mm器件0.1μm T型栅的研究
- 本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.
- 刘玉贵罗四维王维军丁奎章
- 关键词：电子束T型栅氮化硅
- 文献传递
- 0.1~0.15um T型栅工艺研究及应用
- 制作0.1~0.15umT型栅,首先是考虑在频率高到一定程度时,如何减小Rgs对器件增益的影响,同时要考虑到负面效应,如栅帽顶大到一定程度,就会使Cgs增大,频率响应变差.研究0.1~0.15umT型栅形貌是本研究课题的...
- 刘玉贵王维军罗四维丁奎章周瑞
- 关键词：频率响应电子束曝光栅结构
- 文献传递
- 电子束纳米光刻技术研究被引量：2
- 2003年
- 纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用 ,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。我们使用VB5电子束曝光系统 ,经过工艺研究 ,现已研究出最细分辨率剥离金属条为 17nm ,最小剥离电极间距为 10nm ,最细T型栅为 10 0nm。
- 刘玉贵王维军罗四维
- 关键词：微电子电子束曝光系统
- 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术被引量：2
- 2002年
- 根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
- 韩安云王育中王维军张倩田振文樊照田陈宝钦崔 铮
- 关键词：光学光刻移相掩模T形栅
