时晴暄
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 场发射阵列薄膜技术研究
- 以场致发射冷阴极为基础的真空微电子器件，因其具有电子传输速率高、功耗低、电流密度大、无需加热等优点，受到广泛的关注。在众多的真空微电子器件中，最重要也最为成熟的冷阴极是阵列场发射体。人们通过不断的改进阵列发射体结构、优化...
- 时晴暄
- 关键词：场发射性能结构特性电子束蒸发法
- 文献传递
- 硅场发射微尖阵列的制备工艺研究被引量：1
- 2006年
- 主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。
- 李建军林祖伦时晴暄陈泽祥
- 关键词：湿法刻蚀
- 电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究被引量：6
- 2007年
- 用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59eV,具有良好的电子发射性能.
- 时晴暄林祖伦李建军陈泽祥
- 关键词：电子束蒸发逸出功
- 硼化镧薄膜的发射特性研究被引量：6
- 2006年
- LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源,但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究,本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测,使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比,薄膜显示出良好的发射特性,利用热发射测量逸出功,利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2.64 eV。
- 李建军林祖伦时晴暄王小菊
- 关键词：逸出功
