李建军
- 作品数：7 被引量：33H指数：4
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>
- 微电子教学实验室建设的探索与实践被引量：17
- 2015年
- 为适应微电子产业的高速发展,高校的微电子实验室建设及实验教学对专业人才的培养发挥着极其重要的作用。微电子实验室建设主要包括微电子设计实验室和微电子工艺实验室。实验教学开设了集成电路设计综合实验和微电子工艺综合实验。学生在此完成集成电路芯片设计、制造的整个过程,并对制造的芯片进行测试和分析。微电子实验室的建设提供了优质的教学平台,将理论与实践结合、创新与实践结合,培养了学生分析问题、解决问题的能力。
- 李建军王姝娅张国俊李平杜涛谢小东
- 关键词：集成电路设计微电子工艺实验教学
- OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响被引量：1
- 2016年
- 在OTP存储器的设计中,基于得到OTP存储器存储单元编程后尽可能大的读取阈值的目的,以提高OTP存储器的编程效率和芯片成品率,采用了消除存储单元内寄生电容的方法,通过对OTP存储器存储单元内带寄生电容和不带寄生电容两种情况下的仿真以及对比,可以发现存储单元内寄生电容的存在会使OTP存储器编程后的读取阈值减少8 kΩ左右,所以在OTP存储器的设计中,应尽可能消除掉存储单元内的寄生电容,获得尽可能大的读取阈值。
- 毛冬冬曾昆农李建军
- 关键词：寄生电容
- 硅场发射微尖阵列的制备工艺研究被引量：1
- 2006年
- 主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。
- 李建军林祖伦时晴暄陈泽祥
- 关键词：湿法刻蚀
- 电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究被引量：6
- 2007年
- 用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59eV,具有良好的电子发射性能.
- 时晴暄林祖伦李建军陈泽祥
- 关键词：电子束蒸发逸出功
- 0.5 μm工艺的NMOS器件总剂量辐射效应研究
- 2018年
- 在国产某0.5μm CMOS工艺线上制备了高压环栅、高压直栅、低压环栅、低压直栅四种NMOSFET晶体管,并对其进行了钴60总剂量辐照实验,辐照剂量最高达11 000Gy(Si)。通过对比NMOSFET辐射前后的转移特性、阈值电压和截止漏电流等参数,研究了高压及低压NMOS晶体管对总剂量效应的敏感程度。通过中带电压法对器件受辐射产生的氧化层陷阱电荷和界面态电荷进行分离研究,对比了高压器件与低压器件的辐射效应。对比研究了环栅与直栅MOS器件的总剂量辐射效应,分析了环栅加固方式对该工艺下两种器件的加固效果。研究结果显示,高压器件因为与低压器件工艺流程的不同造成其对总剂量辐照更为敏感,同时环栅加固对高压器件的总剂量效应加固效果变弱。
- 夏春晖李建军范雪阳至瞻邹豪李威
- 关键词：总剂量
- 集成电路工艺实验教学的探索与实践被引量：6
- 2015年
- 在我国集成电路产业又一次高速发展之际,以卓越工程师培养计划为导向,探索并实践了集成电路工艺实验教学。从系统工程的角度,将理论联系实际作为贯穿整个教学的思路与方法。充分发挥了以学生为主的教学形式,完成从设计到实验制作再到测试验证整个过程。将理论与实践结合,创新与实践结合起来,培养了学生分析问题、解决问题的能力。
- 李建军王姝娅杜涛王刚张国俊李威李平
- 关键词：集成电路工艺实验教学卓越工程师计划教学方法
- 硼化镧薄膜的发射特性研究被引量：6
- 2006年
- LaB6阴极凭借其优良的发射特性已广泛应用于各种大电流密度的电子源,但是硼化镧薄膜的制备方法以及其发射特性还未得到深入的研究,本文对在Ta金属基底材料上使用电子束蒸发法得到的硼化镧薄膜表面型貌使用扫描电子显微镜进行了观测,使用XPS紫外光电子能谱仪测量了其原子比,薄膜显示出良好的发射特性,利用热发射测量逸出功,利用Richardson直线法计算得到薄膜材料的逸出功为2.64 eV。
- 李建军林祖伦时晴暄王小菊
- 关键词：逸出功
