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王小菊

作品数:77 被引量:82H指数:5
供职机构:电子科技大学更多>>
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相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 35篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 23篇理学
  • 7篇机械工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇场发射
  • 11篇场发射阵列
  • 10篇纳米
  • 9篇推力
  • 9篇微推力
  • 9篇场发射阴极
  • 8篇透过率
  • 8篇LAB
  • 7篇逸出功
  • 7篇碳纳米管
  • 7篇推力器
  • 7篇纳米管
  • 6篇电流
  • 6篇阴极
  • 6篇石墨
  • 5篇电子发射
  • 5篇微推力器
  • 5篇刻蚀
  • 5篇PDP
  • 5篇测力器

机构

  • 76篇电子科技大学
  • 2篇北京军区总医...
  • 2篇成都信息工程...
  • 2篇广东省惠州市...
  • 2篇成都创元电子...
  • 1篇东莞理工大学

作者

  • 76篇王小菊
  • 59篇祁康成
  • 46篇林祖伦
  • 45篇曹贵川
  • 5篇陈文彬
  • 5篇陈泽祥
  • 4篇邓江
  • 4篇蒋亚东
  • 4篇芮大为
  • 3篇尹伊
  • 3篇王旭聪
  • 2篇王本莲
  • 2篇徐如祥
  • 2篇汪志刚
  • 2篇于涛
  • 2篇刘曾怡
  • 2篇张国宏
  • 2篇张强
  • 2篇朱炳金
  • 2篇权祥

传媒

  • 17篇电子器件
  • 5篇强激光与粒子...
  • 3篇电子科技大学...
  • 3篇发光学报
  • 2篇半导体光电
  • 2篇原子核物理评...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光电工程
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇现代显示
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 2篇2023
  • 6篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 8篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
77 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
带有限流PN结的场发射阴极结构
本发明提供一种带有限流PN结的场发射阴极结构,包括衬底、衬底上方的导电层、导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体,P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结,PN结在阴极工作...
祁康成李建樟王小菊王旭聪曹贵川
文献传递
碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究(英文)被引量:1
2016年
采用喷涂法在等离子体显示面板(AC PDP)的Mg O保护层上喷涂碳纳米管(CNTs)作为功能层,研究该复合型保护层的可见光透过率和放电性能。结果表明,CNTs/Mg O保护层的可见光透过率超过80%。且与纯Mg O保护层相比,CNTs/Mg O保护层单元的着火电压和放电延迟时间明显降低。在100 torr、10%Xe+Ne的放电条件下,CNTs/Mg O保护层的着火电压和放电延迟时间分别为263.5 V和270 ns,与纯Mg O保护层相比,分别降低了15%和26%。因此,CNTs/Mg O保护层在AC PDP中具有潜在的应用前景。
邓江王小菊
关键词:碳纳米管着火电压透过率
AMOLED像素电路的设计与仿真研究被引量:3
2011年
为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流变化为0.01μA,小于一个灰阶对应的电流,满足显示的要求。
沈匿林祖伦陈文彬祁康成王小菊杨隆杰
关键词:AMOLED仿真阈值电压漂移多晶硅薄膜晶体管
碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究被引量:2
2010年
采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试。实验结果表明电泳2min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1V/μm,当外加电场强度为11.5V/μm时场发射电流密度达到11.33mA/cm2,经过10V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发射稳定性。
文永亮林祖伦王小菊权祥张国宏
关键词:碳纳米管电泳沉积场发射
一种投影仪用光学引擎
一种投影仪用光学引擎,属于投影显示技术领域。RGB三基色激光光源产生的激光分别经三个光束耦合器输出三组阵列光;匀光系统包括三个准直透镜阵列,每个准直透镜阵列由光学长度为1/4节距的渐变折射率透镜单元组成;三组阵列光分别经...
祁康成芮大为林祖伦王小菊曹贵川陈文彬
文献传递
电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功(英文)
2010年
六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。
祁康成王小菊林祖伦陈文彬曹贵川
关键词:逸出功电子束蒸发场发射
电化学刻蚀法制备LaB_6场发射微尖锥阵列被引量:6
2007年
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性。该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义。
王小菊林祖伦祁康成陈泽祥汪志刚蒋亚东
关键词:场发射阵列电化学刻蚀各向异性
一种Si-LaB<Sub>6</Sub>复合型纳米场发射阵列阴极及其制备方法
本发明属于阴极场发射技术领域,特别涉及一种Si‑LaB<Sub>6</Sub>复合型纳米场发射阵列阴极及其制备方法。由本发明提供的制备方法制备得到的Si‑LaB<Sub>6</Sub>复合型纳米场发射阵列阴极,阵列密度为...
王小菊姚旭日祁康成曹贵川查林宏
文献传递
一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法
一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法,属于电子材料技术领域。主要步骤包括:将醋酸镁、氯化铝和尿素按比例溶解于去离子水中,形成反应体系;将反应体系转入反应釜中,在160℃温度下反应不低于3小时;将反应所生成...
尹伊肖建亭祁康成李军建王小菊曹贵川林祖伦
文献传递
一种PDP前玻璃板的保护层结构及其制备方法
一种PDP前玻璃板的保护层结构,属于光电材料及器件技术领域。所述保护层结构,位于PDP前玻璃板的透明介质(3)表面,为少量掺有LaB<Sub>6</Sub>的MgO材料或MgO保护层和位于MgO保护层表面的不连续LaB<...
王小菊林祖伦祁康成曹贵川邓江尹伊
文献传递
共8页<12345678>
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