曹贵川
- 作品数：58 被引量：46H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程核科学技术更多>>
- 带有限流PN结的场发射阴极结构
- 本发明提供一种带有限流PN结的场发射阴极结构，包括衬底、衬底上方的导电层、导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体，P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结，PN结在阴极工作...
- 祁康成李建樟王小菊王旭聪曹贵川
- 文献传递
- 发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法
- 本发明涉及发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法。位于包含衬底、n型层、发光层和p型层的LED芯片的p型层之上，其特征在于，所述金属亚波长嵌入式光栅结构包括隔离层、纳米金属体和保护层，所述隔离层嵌入到p型层上表...
- 林祖伦宋科田祁康成曹贵川
- 文献传递
- 一种投影仪用光学引擎
- 一种投影仪用光学引擎，属于投影显示技术领域。RGB三基色激光光源产生的激光分别经三个光束耦合器输出三组阵列光；匀光系统包括三个准直透镜阵列，每个准直透镜阵列由光学长度为1/4节距的渐变折射率透镜单元组成；三组阵列光分别经...
- 祁康成芮大为林祖伦王小菊曹贵川陈文彬
- 文献传递
- 基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
- 2018年
- 该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低。测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小。这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法。
- 王小菊敦涛马祥云徐如祥祁康成曹贵川林祖伦
- 关键词：ANSYS钎焊钼
- 电子束蒸发沉积六硼化镧薄膜的逸出功(英文)被引量：1
- 2010年
- 六硼化镧(LaB6)具有电子逸出功低、高熔点和高化学稳定性等优点,是制作热阴极和场发射阴极的理想发射体材料。而且在常规场发射尖锥表面涂敷一层LaB6薄膜能够大幅度提高场发射尖锥的发射能力。为了测量LaB6薄膜的逸出功,采用电子束蒸发技术沉积LaB6薄膜,并对薄膜进行了X射线衍射分析和X射线光电谱分析。通过测量薄膜的热电子发射特性和敷LaB6薄膜的硅尖锥阵列的场致电子发射特性确定了LaB6薄膜的逸出功,与块状LaB6多晶材料的逸出功大体相同,说明电子束蒸发沉积技术适合于制备高纯度、低逸出功的LaB6薄膜。
- 祁康成王小菊林祖伦陈文彬曹贵川
- 关键词：逸出功电子束蒸发场发射
- 一种投影仪用光学引擎
- 一种投影仪用光学引擎，属于投影显示技术领域。RGB三基色激光光源产生的激光分别经三个光束耦合器输出三组阵列光；匀光系统包括三个准直透镜阵列，每个准直透镜阵列由光学长度为1/4节距的渐变折射率透镜单元组成；三组阵列光分别经...
- 祁康成芮大为林祖伦王小菊曹贵川陈文彬
- 多晶LaB_6阴极的脉冲热发射特性被引量：4
- 2007年
- 采用多晶LaB6材料制成平板二极管阴极,阳极采用钼材料,阴极采用热传导与热辐射加热,加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性,并对热发射稳定性进行了分析。结果表明:在动态真空系统中,阴极发射面积为0.0121 cm2,工作真空度为2×10-4Pa,阴极温度分别为1600,1650和1700℃,在脉冲宽度为40μs、重复频率为107 Hz的条件下,最大脉冲发射电流密度分别为34.0,44.0和53.8 A/cm2;2×10-4,5×10-4和2×10-3Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化。
- 林祖伦曹贵川祁康成王小菊
- 关键词：热电子发射电流密度
- 碳纳米管大电流密度场致发射特性的研究
- 本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（WMPCVD），借助Fe作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域生长。扫描电子显微镜（SEM）分析结果表面，碳纳米管呈现高速笔直生长，生长速率大于5μm/min.，长度和直径非常均匀，且具有...
- 陈泽祥曹贵川祁康成林祖伦
- 关键词：碳纳米管场致发射微波等离子体化学气相沉积
- 文献传递
- 基于扭摆式的微推力测量装置
- 本发明提供一种基于扭摆式的微推力测量装置，主要包括：扭摆平台、推力平衡执行器和光杆装置，扭摆平台：包括支架、扭丝、平衡架、推力器、配重杯，当推力器产生推力时，平衡架绕扭丝转动；推力平衡执行器：用以平衡推力器产生的推力，包...
- 祁康成莫雄曹贵川王小菊
- 场发射器件中钼与硅基底焊接的方法
- 本发明提供一种场发射器件中钼与硅基底焊接的方法，先在硅基底上蒸镀钼薄膜，然后将蒸镀钼薄膜的硅基底与钼片进行焊接，即在硅基底上镀一层钼保护层，起到阻隔钎料的作用，硅与钼片连接紧密不会断裂，大大提高了焊接强度。
- 王小菊王旭聪马祥云曹贵川祁康成林祖伦
