彭宜斌
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 高密度碳纳米管阵列制备研究
- 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备了定向生长的碳纳米管,系统研究了定向生长碳纳米管阵列的制备工艺.综合调整催化剂的厚度、氨刻蚀温度和刻蚀时间,可以获得高颗粒密度分布的催化剂薄膜.厚度为10nm左右的催化剂铁膜结构于...
- 程国安郑瑞廷赵勇彭宜斌刘华平梁昌林
- 关键词：碳纳米管列阵化学气相沉积
- 文献传递
- 模板制备碳纳米管阵列的研究
- 本文采用覆压通网沉积铁膜方法在硅基上制备了催化剂模板。系统研究了制备工艺对碳纳米管阵列图形的影响,获得了具有良好外观的碳纳米管阵列图形。
研究发现了催化剂厚度和碳源气浓度在碳纳米管阵列制备过程中的动态平衡控制关...
- 郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积
- 文献传递
- 单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究被引量：11
- 2004年
- 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列,研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响.研究发现:生长温度在750℃,催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜.在混合气中乙炔的浓度为27％(体积百分比)时,可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列.另外,对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.
- 郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平梁昌林
- 关键词：碳纳米管阵列化学气相沉积
- 硅基上纳米铁颗粒薄膜的制备
- 2003年
- 单晶硅基底上沉积铁膜 ,在不同温度下用氨气对其进行刻蚀 ,研究温度和铁膜厚度对铁颗粒大小和分布的影响。SEM图像显示 ,氨气对铁膜表面具有明显的刻蚀作用 ,可以使铁膜刻蚀为纳米级的颗粒 ;刻蚀温度对于刻蚀后铁颗粒的大小和分布有非常重要的影响 ,刻蚀温度越高 ,则得到的铁颗粒越大 ,分布也就越稀疏 ;2纳米厚的铁膜在 75 0℃下用氨气刻蚀可以得到粒径小于 10 0nm的铁颗粒薄膜 ,铁膜厚度大 ,则得到的铁颗粒也就越大。
- 彭宜斌程国安程国安刘华平郑瑞廷
- 关键词：纳米铁
- 单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究
- 2003年
- 以乙炔气为反应气体 ,采用催化裂解方法 ,在沉积有铁催化剂膜的单晶硅基体上研究碳纳米管薄膜的制备。研究表明 ,由于催化剂的作用 ,在硅基体上能够形成直径为 5 0～ 10 0nm的碳纳米管 ;铁催化剂膜的粒径大小和分散状态对碳钠米管薄膜的厚度、管径和均匀性起着关键作用 ;氢氟酸水溶液处理的催化剂膜有利于铁催化剂颗粒的分散和均匀化 ,能形成比较好的碳纳米管薄膜。由电镜分析发现 。
- 彭宜斌程国安刘华平郑瑞廷刘长虹
- 关键词：碳纳米管催化裂解法单晶硅
- 碳纳米管负载Ni催化剂制备碳纳米管的研究被引量：3
- 2005年
- 将硝酸回流预处理过的碳纳米管载体直接浸入镀Ni溶液中,通过化学镀在其表面上沉积出Ni纳米颗粒,并 将所制备的Ni/CNTs催化剂用于制备新的高纯度碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管载体的酸预处理时间对Ni/CNTs 催化剂在碳纳米管制备过程中的催化性能有很大的影响,从而影响所制备的碳纳米管的形态.当碳纳米管载体在稀硝酸 中回流预处理0.5h后,所对应的Ni/CNTs催化剂催化制备的碳纳米管存在严重的缺陷,其主要结构为竹节状和鱼骨 型,同时部分碳纳米管在生长过程中分叉,成Y形结构;当碳纳米管载体经稀硝酸回流预处理6h后,其对应的Ni/CNTs 催化剂催化生长的碳纳米管粉体中,碳纳米管的形态均匀,中空,无任何隔膜,因此碳纳米管载体较长时间的酸回流预处 理对催化剂的性能有明显的改善.而且相比纯的纳米Ni,Co以及Ni/SiO2催化剂,Ni/CNTs催化剂在碳纳米管的制备过 程中,具有更高的催化活性.
- 刘华平程国安彭宜斌郑瑞廷赵勇
- 关键词：碳纳米管化学镀
- 气体催化裂解法制备高纯碳纳米管的研究
- 2003年
- 利用有机气体化学裂解技术 ,用二甲苯作碳源 ,二茂铁作催化剂 ,噻吩作助长剂 ,氢气作载气 ,对碳纳米管的制备进行了研究 .研究结果表明 ,二甲苯流量、氢气流量及有机气体裂解温度等工艺参数对碳纳米管的产量及形态有很大的影响 ;在反应温度为 10 0 0～ 110 0℃ ,氢气流量为 15 0mL·min- 1,二甲苯的流量为 0 .12 1mL·min- 1时 ,能获得直径为 4 0～ 10 0nm的碳纳米管 ,碳纳米管的纯度可达 95 %以上 .
- 程国安刘华平彭宜斌郑瑞廷刘长虹
- 关键词：碳纳米管CVD
