刘华平
- 作品数:17 被引量:49H指数:3
- 供职机构:北京师范大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学更多>>
- 高密度碳纳米管阵列制备研究
- 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备了定向生长的碳纳米管,系统研究了定向生长碳纳米管阵列的制备工艺.综合调整催化剂的厚度、氨刻蚀温度和刻蚀时间,可以获得高颗粒密度分布的催化剂薄膜.厚度为10nm左右的催化剂铁膜结构于...
- 程国安郑瑞廷赵勇彭宜斌刘华平梁昌林
- 关键词:碳纳米管列阵化学气相沉积
- 文献传递
- 模板制备碳纳米管阵列的研究
- 本文采用覆压通网沉积铁膜方法在硅基上制备了催化剂模板。系统研究了制备工艺对碳纳米管阵列图形的影响,获得了具有良好外观的碳纳米管阵列图形。
研究发现了催化剂厚度和碳源气浓度在碳纳米管阵列制备过程中的动态平衡控制关...
- 郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平
- 关键词:碳纳米管化学气相沉积
- 文献传递
- 单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究被引量:11
- 2004年
- 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列,研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响.研究发现:生长温度在750℃,催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜.在混合气中乙炔的浓度为27%(体积百分比)时,可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列.另外,对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.
- 郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平梁昌林
- 关键词:碳纳米管阵列化学气相沉积
- 高温氨刻蚀对硅基纳米铁薄膜显微形态的影响被引量:1
- 2006年
- 本文研究了750℃高温氨刻蚀对硅基铁纳米薄膜显微形态变化的影响。找到了纳米铁颗粒平均直径和平均分布密度随刻蚀时间、薄膜厚度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步探讨。研究发现:5~10nm的薄膜原始厚度和8~12min的刻蚀时间是硅基铁纳米薄膜催化高定向碳纳米管阵列化学气相沉积生长的较理想条件。
- 赵勇程国安郑瑞廷刘华平梁昌林
- 关键词:显微形态
- C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究被引量:2
- 2004年
- 对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形成了α C3N4 和 β C3N4 混合相 ,且气流中V(NH3)∶V(CH4 )的比值直接影响C N薄膜中混合相的含量 .由于α C3N4 和 β C3N4 相之间存在的竞相生长 ,导致晶粒很难长大 ,从而形成聚晶结构 ,每个聚晶由大量的纳米晶组成 .
- 程国安刘洪刚郑瑞廷赵勇刘华平
- 论20世纪初英国的社会立法
- 刘华平
- 单晶硅基表面碳纳米管薄膜的制备研究
- 2003年
- 以乙炔气为反应气体 ,采用催化裂解方法 ,在沉积有铁催化剂膜的单晶硅基体上研究碳纳米管薄膜的制备。研究表明 ,由于催化剂的作用 ,在硅基体上能够形成直径为 5 0~ 10 0nm的碳纳米管 ;铁催化剂膜的粒径大小和分散状态对碳钠米管薄膜的厚度、管径和均匀性起着关键作用 ;氢氟酸水溶液处理的催化剂膜有利于铁催化剂颗粒的分散和均匀化 ,能形成比较好的碳纳米管薄膜。由电镜分析发现 。
- 彭宜斌程国安刘华平郑瑞廷刘长虹
- 关键词:碳纳米管催化裂解法单晶硅
- 碳纳米带的结构与生长机制研究
- 采用热化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带,并采用场发射SEM、TEM、激Raman光谱等分析手段对其形态和结构进行了研究.实验采用乙炔(C<,2>H<,2>)为碳源,铁为催化剂,获得了厚度在几十纳米、宽度在几百...
- 郑瑞廷程国安赵勇刘华平梁昌林
- 关键词:显微结构
- 文献传递
- 高温氨气氛下镍纳米催化剂的结构研究被引量:2
- 2005年
- 研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜转变成高密度、小直径、均匀镍纳米颗粒的关键是恰当的氨气介入时间和刻蚀温度;硅表面的二氧化硅层有效地隔离了镍原子和硅原子的扩散,这种隔离层对镍纳米薄膜的显微结构有很大的影响,起到了阻碍硅和镍发生化合反应的作用,维持了镍在基底表面物质的量的恒定.
- 赵勇程国安郑瑞廷刘华平梁昌林张萌
- 关键词:显微结构
- 硅基上纳米铁颗粒薄膜的制备
- 2003年
- 单晶硅基底上沉积铁膜 ,在不同温度下用氨气对其进行刻蚀 ,研究温度和铁膜厚度对铁颗粒大小和分布的影响。SEM图像显示 ,氨气对铁膜表面具有明显的刻蚀作用 ,可以使铁膜刻蚀为纳米级的颗粒 ;刻蚀温度对于刻蚀后铁颗粒的大小和分布有非常重要的影响 ,刻蚀温度越高 ,则得到的铁颗粒越大 ,分布也就越稀疏 ;2纳米厚的铁膜在 75 0℃下用氨气刻蚀可以得到粒径小于 10 0nm的铁颗粒薄膜 ,铁膜厚度大 ,则得到的铁颗粒也就越大。
- 彭宜斌程国安程国安刘华平郑瑞廷
- 关键词:纳米铁