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梁昌林

作品数:11 被引量:25H指数:3
供职机构:北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助北京市科学技术研究院萌芽计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇碳纳米管
  • 3篇碳纳米管阵列
  • 3篇气相沉积
  • 3篇显微结构
  • 3篇纳米管
  • 3篇纳米管阵列
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇催化
  • 2篇梯度过渡层
  • 2篇钛合金
  • 2篇微观结构
  • 2篇过渡层
  • 2篇合金
  • 2篇高温
  • 2篇TIALN薄...
  • 2篇
  • 2篇催化剂
  • 1篇等离子

机构

  • 11篇北京师范大学
  • 1篇南昌大学

作者

  • 11篇梁昌林
  • 10篇郑瑞廷
  • 10篇程国安
  • 8篇刘华平
  • 6篇赵勇
  • 2篇彭宜斌
  • 2篇赵勇
  • 1篇韩东艳
  • 1篇张萌
  • 1篇陈亮
  • 1篇朱学涛

传媒

  • 3篇北京师范大学...
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇中国科协第五...
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高温氨气氛下镍纳米催化剂的结构研究被引量:2
2005年
研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜转变成高密度、小直径、均匀镍纳米颗粒的关键是恰当的氨气介入时间和刻蚀温度;硅表面的二氧化硅层有效地隔离了镍原子和硅原子的扩散,这种隔离层对镍纳米薄膜的显微结构有很大的影响,起到了阻碍硅和镍发生化合反应的作用,维持了镍在基底表面物质的量的恒定.
赵勇程国安郑瑞廷刘华平梁昌林张萌
关键词:显微结构
TiN、TiAlN薄膜的磁过滤脉冲真空弧等离子体制备及其结构与性能研究
采用高离化率、高活性、高纯度磁过滤脉冲真空弧等离子体反应沉积技术,室温环境较低氮气压下在钛合金表面制备了TiN、TiAlN及其梯度复合、纳米结构多层薄膜。利用SEM、XRD、EDS和XPS等分析方法对所制备薄膜的微观组织...
梁昌林
关键词:钛合金梯度过渡层电化学腐蚀
文献传递
MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究被引量:3
2005年
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究。材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.
程国安梁昌林朱学涛郑瑞廷
关键词:显微结构机械性能
高密度碳纳米管阵列制备研究
采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备了定向生长的碳纳米管,系统研究了定向生长碳纳米管阵列的制备工艺.综合调整催化剂的厚度、氨刻蚀温度和刻蚀时间,可以获得高颗粒密度分布的催化剂薄膜.厚度为10nm左右的催化剂铁膜结构于...
程国安郑瑞廷赵勇彭宜斌刘华平梁昌林
关键词:碳纳米管列阵化学气相沉积
文献传递
碳纳米带的结构与生长机制研究
采用热化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带,并采用场发射SEM、TEM、激Raman光谱等分析手段对其形态和结构进行了研究.实验采用乙炔(C<,2>H<,2>)为碳源,铁为催化剂,获得了厚度在几十纳米、宽度在几百...
郑瑞廷程国安赵勇刘华平梁昌林
关键词:显微结构
文献传递
乙炔催化裂解制备碳纳米带及其结构表征被引量:8
2005年
以乙炔(C2H2)为碳源,铁为催化剂,通过化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带。采用场发射SEM、TEM、激光Ram an光谱等先进分析手段对其形态和结构进行了表征。研究发现:碳纳米带是一种准二维材料,厚度约30nm,宽度在几百纳米,长度在100μm量级。碳纳米带的碳层沿着与其生长轴方向一致的(002)晶向排列,碳层的边缘都弯曲折叠成封闭结构。碳纳米带中碳层的排列不很平直,其中存在大量的层错。由此认为碳纳米带可用于能源等领域。
郑瑞廷程国安赵勇刘华平梁昌林
关键词:化学气相沉积微观结构
MEVVA磁过滤等离子技术制备的Fe纳米颗粒薄膜结构
2005年
利用MEVVA磁过滤等离子沉积技术制备了纳米厚度的Fe颗粒薄膜,并利用原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对其结构进行了系统分析。分析结果表明,由于磁过滤的作用,所制备的Fe纳米薄膜结构均匀,不存在由于电弧蒸发引起的大颗粒沉积现象。等离子体不同沉积角度直接影响纳米薄膜的微观结构,随着沉积角度从90°下降到30°,纳米薄膜的结构由起伏变化的纳米聚晶结构逐渐转变为尺度和表面分布均匀的纳米晶结构。经过高温热处理,相比于垂直沉积的纳米薄膜,30°倾斜沉积制备的薄膜微观结构中大晶粒的数量显著下降,形成颗粒分布较好的纳米颗粒薄膜。
程国安刘华平赵勇郑瑞廷梁昌林陈亮
铁催化薄膜的微观结构对碳纳米管阵列生长的影响被引量:1
2005年
本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响。研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳纳米管的制备过程中保持较高的催化活性,促进分解出的活性碳原子在催化剂中扩散和析出,增强碳纳米管的成核和生长,从而合成出纯度较高、定向性好的碳纳米管阵列。
刘华平程国安赵勇郑瑞廷梁昌林
关键词:碳纳米管阵列催化剂
单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列的研究被引量:11
2004年
采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列,研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响.研究发现:生长温度在750℃,催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜.在混合气中乙炔的浓度为27%(体积百分比)时,可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列.另外,对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.
郑瑞廷程国安彭宜斌赵勇刘华平梁昌林
关键词:碳纳米管阵列化学气相沉积
高温氨刻蚀对硅基纳米铁薄膜显微形态的影响被引量:1
2006年
本文研究了750℃高温氨刻蚀对硅基铁纳米薄膜显微形态变化的影响。找到了纳米铁颗粒平均直径和平均分布密度随刻蚀时间、薄膜厚度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步探讨。研究发现:5~10nm的薄膜原始厚度和8~12min的刻蚀时间是硅基铁纳米薄膜催化高定向碳纳米管阵列化学气相沉积生长的较理想条件。
赵勇程国安郑瑞廷刘华平梁昌林
关键词:显微形态
共2页<12>
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