- 观测TSV铜晶粒的方法
- 本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀...
- 张兆强庞钧文王珺
- 文献传递
- 铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用被引量：12
- 2001年
- 近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 。
- 张兆强郑国祥黄榕旭杨兴邵丙铣宗祥福
- 关键词：镶嵌技术深亚微米集成电路工艺
- 聚焦离子束辐照对MOS晶体管性能的影响
- 2007年
- 聚焦离子束(Focusedionbeam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20μm×20μm和20μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移,辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30%的恢复,而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复。文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释,使实际的电路修补工作最优化,从而确保器件在修补后的可靠性。
- 宋云陆海纬陈忠浩张兆强郑国祥李越生曾韡
- 关键词：聚焦离子束电离辐射阈值电压
- 测量TSV铜柱中残余应力的方法
- 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原...
- 王珺翟歆铎张兆强肖斐
- 文献传递
- 纳米铜焊膏、其制备方法及铜-铜键合的方法
- 本发明属于电子材料技术领域，公开了一种纳米铜焊膏、其制备方法以及利用该种纳米铜焊膏实现铜‑铜键合的方法。本发明所提供的纳米铜焊膏，以质量百分含量计包含纳米铜颗粒50～90％，醇胺5～25％，粘度调节剂0～45％。使用本发...
- 张兆强亓恬珂肖斐
- 文献传递
- 碳化硅功率模块封装技术进展被引量：1
- 2018年
- 近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注。与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈。从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展。
- 曹峻张兆强
- 关键词：宽禁带半导体碳化硅封装技术
- 测量TSV铜柱中残余应力的方法
- 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原...
- 王珺翟歆铎张兆强肖斐
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- 纳米铜焊膏、其制备方法及铜-铜键合的方法
- 本发明属于电子材料技术领域，公开了一种纳米铜焊膏、其制备方法以及利用该种纳米铜焊膏实现铜‑铜键合的方法。本发明所提供的纳米铜焊膏，以质量百分含量计包含纳米铜颗粒50～90％，醇胺5～25％，粘度调节剂0～45％。使用本发...
- 张兆强亓恬珂肖斐
- 文献传递
- 窄过渡带数字滤波器设计
- 该文利用目前比较先进的频率掩蔽响应理论,解决了以往窄过渡带数字滤波器阶数过高的困难,设计出了窄频带和宽频带的窄过渡带FIR数字滤波器,输入相应的滤波器系数后,可以实现各种形式的滤波功能.该滤波器结构经软件模拟和硬件综合后...
- 张兆强
- 关键词：数字滤波器
- 文献传递
- 观测TSV铜晶粒的方法
- 本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀...
- 张兆强庞钧文王珺
- 文献传递
