郑国祥
- 作品数：49 被引量：108H指数：5
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：四川省教育厅科学研究项目国家自然科学基金上海市科委SDC项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术环境科学与工程更多>>
- 金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用被引量：2
- 1991年
- 以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.
- 郑国祥周寿通邬建根王昌平屈逢源丁志发
- 关键词：硅金属
- 1000 BASE-T物理编码子层的硬件实现被引量：3
- 2006年
- 介绍了1000 BASE-T物理编码子层(PCS)采用的4D-PAM5编码算法,分析编码算法中的一些关键性技术.提出解码流程,并给出了解码中字同步算法及其硬件结构.用Verilog HDL完成了PCS的硬件设计,进行了仿真验证,并给出了流片测试结果.
- 许伟叶凡郑国祥任俊彦
- 关键词：千兆以太网物理层
- 聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样
- 唐雷钧谢进陈一郑国祥宗祥福
- 文献传递
- 2-羟基-3-羧基-5-磺酸基苯基重氮氨基偶氮苯吸光光度法测定微量钯被引量：6
- 1999年
- 于pH9.3～10.6Na_2CO_3-NaHCO_3缓冲介质中,在Triton N-101存在下,Pd(Ⅱ)与2-羟基-3-羧基-5-磺酸基苯基重氮氨基偶氮苯(HCSDAA)形成组成比为1:2的红色配合物,其最大吸收波长为530nm,表观摩尔吸光系数为1.05×10~5,线性范围为0～0.7μg·ml^(-1) .结合丁二酮肟螯合,氯仿萃取,方法用于贵金属二次合金中微量钯的测定,相对标准偏差为2.0%(n=6).加标回收率为93.8%～99.3%.
- 郑国祥邵勇张淑云郭忠先
- 关键词：吸光光度法光度法
- 包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型被引量：2
- 2008年
- 高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.
- 谢姝曹娜郑国祥龚大卫
- 关键词：高压LDMOS负阻效应子电路模型
- 一种新的单边高压器件的模拟及参数提取方法被引量：4
- 2004年
- 单边高压器件具有源、漏电阻不对称且与工作电压成非线形的依赖关系的特点 ,文中提出一种单边高压 MOS器件的模型 ,在不改变 BSIM3 V3模拟模型方程的基础上 ,对 BSIM3 V3模型参数的物理意义和取值进行重新的定义来表示单边高压器件的这些特点。同时使用模型参数提取软件 BSIMPro提取了该模型的参数 ,模拟结果与实验数据进行拟合 ,两者符合得很好 ,证明了改进模型的可行性。
- 曹娜吴瑞郑国祥
- 关键词：BSIM3V3
- 用热脱附谱研究磷硅玻璃薄膜被引量：3
- 2002年
- 用热脱附谱 (TDS)研究H2 O在磷硅玻璃 (PSG)中被吸附的问题 .PSG是在 4 0 0℃左右用化学气相淀积(CVD)方法生长的 ,在生长过程及以后的工序中容易吸收H2 O ,使器件失效 .TDS是由 2 5℃开始以 2 0℃ /min均匀升温到 80 0℃获得的 .由TDS的残余气体分析 (RGA)模式可以推出H2 O在PSG中的可能结合形式 .建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型 ,通过实验测量了PSG中脱附的H2 O随时间、温度、湿度等环境条件的变化 .在VLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数 ,如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等 .
- 罗永坚李清华郑国祥罗俊一周泽群宗祥福
- 关键词：热脱附谱
- 用于HREM分析的位错结构模型
- ＜正＞本文推荐建立一种用于高分辨电子显微术 （HREM）分析的位错结构模型,希望对该问题的解决有所帮助。 1 位错结构模型制作的原理位错是线缺陷。它最基本的特征,除位错线的位置、走向外,就是其柏格斯矢量。当位错线取向平行...
- 陈一胡岗郑国祥严学俭吴晓京
- 文献传递
- 聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样被引量：14
- 2000年
- 唐雷钧谢进陈一郑国祥宗祥福
- 关键词：聚焦离子束透射电镜制样IC芯片
- 改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流
- 1996年
- 为降低硅光电探测器ＰＮ结反向暗电流，可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺（ＰＣＤＴ）。在实施过程中，对吸除工艺，应力补偿工艺等作了改进，进一步降低了反向暗电流。
- 朱光华郑国祥
- 关键词：光电探测器退火少子寿命PN结
