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唐粕人

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 22篇存储器
  • 9篇闪存
  • 9篇快闪存储器
  • 9篇编程
  • 8篇浮栅
  • 7篇存储密度
  • 5篇电路
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇集成电路
  • 5篇编程效率
  • 5篇超大规模集成
  • 5篇超大规模集成...
  • 5篇大规模集成电...
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅
  • 4篇沟道
  • 3篇电容
  • 3篇电容式
  • 3篇动态随机存储...

机构

  • 24篇北京大学

作者

  • 24篇唐粕人
  • 23篇黄如
  • 17篇蔡一茂
  • 14篇秦石强
  • 10篇唐昱
  • 8篇张丽杰
  • 5篇潘越
  • 4篇吴大可
  • 4篇谭胜虎
  • 3篇许晓燕
  • 3篇杨庚雨
  • 2篇邝永变
  • 2篇田明
  • 2篇高德金
  • 2篇于哲
  • 2篇黄欣
  • 2篇王阳元
  • 2篇黄芊芊

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件
本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MO...
黄如秦石强唐粕人张丽杰蔡一茂
一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P...
秦石强田明唐粕人唐昱蔡一茂黄如
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一种快闪存储器及其制备方法和操作方法
本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共...
秦石强黄芊芊唐粕人唐昱黄如蔡一茂杨庚雨
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一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列
本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变...
唐粕人黄如蔡一茂许晓燕
一种半导体存储器阵列及其编程方法
本发明提供一种闪存存储器的阵列结构及其编程方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明的闪存存储器阵列，包括存储单元，连接存储单元的字线和位线，其中连接存储单元漏端的位线和连接存储单元控制栅的字线不...
蔡一茂黄如唐粕人秦石强
一种融入了阻变材料的多位快闪存储器
本发明公开了一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电...
黄如秦石强蔡一茂唐粕人张丽杰
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一种低电压阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅(Si<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>N<Sub>z<...
黄如高德金张丽杰邝永变于哲唐昱潘越唐粕人
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利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法
本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在...
秦石强黄如蔡一茂唐粕人唐昱谭胜虎黄欣潘越
一种无电容式DRAM单元及其制备方法
本发明公开了一种无电容式DRAM单元及其制备方法，属于挥发性存储器中动态随机存储器技术领域。该DRAM单元包含一在p型掺杂体硅衬底上形成的N型场效应晶体管，该晶体管的沟道上面为栅氧化层和多晶硅栅，该晶体管的沟道两端分别连...
吴大可唐粕人黄如王阳元
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一种嵌入式非挥发性存储器
本发明公开了一种嵌入式非挥发性存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明的存储器包括一MOS晶体管和一插指型金属互联电容单元；所述插指型金属互联电容单元的内侧插指结构与所述MOS晶体管的栅极连接，构成嵌...
唐粕人吴大可黄如许晓燕
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