刘键
- 作品数：94 被引量：51H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：2
- 2007年
- 对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干法刻蚀增加了Al GaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与Al GaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使Al GaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,Al GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
- 李诚瞻庞磊刘新宇黄俊刘键郑英奎和致经
- 关键词：等离子体刻蚀栅电流
- 一种金刚石的制备方法
- 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体...
- 饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
- 文献传递
- 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1
- 2008年
- 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.
- 李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经
- 关键词：ALGAN/GANHEMTS钝化
- 原子层沉积(ALD)方法制备单层石墨烯薄膜
- 本文根据原子层沉积(ALD)方法的基本原理,设计出一种制备石墨烯薄膜材料的方法.ALD是现今一种较新的薄膜制备技术,它的优势在于能够制备出只有一个原子层厚度的薄膜,而且薄膜的均匀性和致密性较好,这些优点完全符合薄膜材料的...
- 刘键饶志鹏
- 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
- 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；...
- 李诚瞻魏珂郑英奎刘果果和致经刘新宇刘键
- 文献传递
- 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al<Sub>0.65</Sub>Ga<Sub>0...
- 白云麻芃刘键朱杰饶志鹏刘新宇
- 文献传递
- 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
- 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，...
- 李诚瞻魏珂刘新宇刘键刘果果郑英奎王冬冬黄俊和致经
- 文献传递
- 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：5
- 2005年
- 报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的单位截止频率达到 2 0GHz,最大振荡频率为 2 8GHz ,功率增益为 11dB ,功率密度为 1 2W/mm ,PAE为 32 % 。
- 邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨王晓亮陈宏
- 关键词：ALGAN/GANHEMT微波功率
- 一种薄膜封装方法
- 本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤：通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功...
- 刘杰刘键冷兴龙屈芙蓉李超波夏洋
- 文献传递
- 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法
- 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法，包括如下步骤：在原子层沉积腔室中，通入气相前驱体，形成一种具有未成键电子的物质，与衬底表面原子形成共价键，实现化学吸附；通入与衬底表面发生取代反应...
- 刘键饶志鹏夏洋石莎莉
