刘海琪
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究被引量：3
- 2011年
- 通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为260 mS/mm,电流增益截止频率为65 GHz,最大振荡频率为85 GHz。对比于相应的AlGaN/AlN/GaN HEMT器件,InAlN/AlN/GaN HEMT器件由于具有高的二维电子气面密度和薄的势垒层厚度,其最大电流密度和峰值跨导特性有了很大的改善,同时频率特性也有显著提高。
- 刘海琪周建军董逊陈堂胜
- 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
- 低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
- 2013年
- 介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。
- 刘海琪王泉慧栗锐任春江陈堂胜
- 关键词：电容
- 0.5μm GaN HEMT及其可靠性
- 文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GH...
- 任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌
- 关键词：高电子迁移率晶体管可靠性评估
- 文献传递
- 0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用被引量：5
- 2011年
- 报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。
- 任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌
- 关键词：高电子迁移率晶体管场板
- GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1
- 2011年
- 介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。
- 刘海琪王泉慧焦刚任春江陈堂胜
- 关键词：ICP刻蚀可靠性
