刘波宇
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双频带低噪声放大器的研究和设计
- 近年来随着无线局域网(Wireless location area network, WLAN)的广泛使用，市场上呈现多种无线标准共存的局面，因此对兼容多频段多协议的收发机需求日趋迫切。作为接收机的关键部件之一，低噪声放...
- 刘波宇
- 关键词：双频带低噪声放大器
- 文献传递
- 双频带低噪声放大器设计被引量：2
- 2011年
- 基于Jazz 0.35μm S iGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的S iGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响。输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配。结果表明,该低噪声放大器在1.8 GHz和2.4 GHz两个工作频点,S21分别达到30.3 dB和28.3 dB,S22分别为-19 dB和-20 dB,噪声分别为3.42 dB和3.45 dB。
- 刘波宇张万荣谢红云金冬月丁春宝
- 关键词：双频带低噪声放大器
- 用于SiGe HBT LNA的新型双有源偏置电路的设计
- 2012年
- 偏置工作点是影响低噪声放大器(LNA)线性度的因素之一。为了保证LNA能够更好地对信号进行线性放大,稳定的偏置工作点对于放大器来说显得尤为重要。提出了一种新型有源偏置技术,通过同时采用两个电流源为LNA提供直流偏置,以达到稳定放大器偏置工作点的目的。基于JAZZ 0.35μm SiGe工艺,采用该新型双有源偏置技术,设计了一款LNA。在1.8～2.2GHz频带时,放大器的增益为22.03±0.46dB,噪声系数小于3.7dB,2.0GHz时的输入3阶交调点(IIP3)为5dBm,相对于传统无源偏置的LNA提高了10dBm。仿真验证了该新型有源偏置技术对提高LNA线性度的有效性。
- 张东晖张万荣谢红云丁春宝赵昕刘波宇
- 关键词：噪声系数
- 一种双频带低噪声放大器的设计与实现被引量：2
- 2017年
- 设计与实现了一种在2.4 GHz和5.8 GHz工作的双频带低噪声放大器。以共基-共射电路作为增益级,引入一个增益增强级电路,减小PCB传输线损耗;利用峰化电感和RC网络来补偿在高频下的增益下降;采用π-型微带线来取得输入和输出的良好匹配。结果表明,在2.4 GHz和5.8 GHz两点上,增益S21分别为15 dB和13 dB,噪声系数为3.6 dB和4.5 dB,S11和S22的模拟与实测结果均小于-10 dB。
- 张正刘波宇张延华
- 关键词：双频带低噪声放大器微带线
- 改善多指HBT热稳定性的非均匀指间距技术
- 2011年
- 建立了多发射极指功率SiGe HBT的热电反馈模型,研究了发射极指间距的变化对多指功率SiGe HBT表面温度分布的影响。在此基础上,提出了发射极指间距的非均匀化优化技术。在不同偏置下,对具有均匀间距和非均匀间距的多指HBT各指之间的温度分布进行模拟。结果表明,具有非均匀指间距结构的SiGe HBT峰值温度明显下降,各指之间的温度分布均匀性得到加强,这是传统均匀指间距技术无法比拟的,显示了非均匀指间距优化技术的优越性。
- 赵昕张万荣金冬月谢红云付强张东晖刘波宇周永强
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管热稳定性
- 适于超宽带放大器的增益平坦化反馈技术
- 2011年
- 为研究反馈技术对宽带放大器增益平坦度的影响,从异质结晶体管(HBTs)的小信号模型入手,得到几种不同反馈形式下HBTs的S参数解析表达式.分析不同反馈形式对S参数的影响及传输增益S21的幅度变化.在这几种反馈技术中,纯电阻负反馈可以改进整个超宽频带内的反射,实现宽带的输入输出匹配;引入串联电感或并联电容等电抗元件,采用串联电阻和电感或并联电阻和电容的电抗性反馈可使S21的幅度随着频率的增大而逐渐上升,从而补偿晶体管本身高频增益的下降,同时也抵消电阻负反馈引起的增益下降.综合优化电阻反馈和电抗反馈,能实现低噪声放大器在3.1～10.6 GHz范围内的增益平坦性.
- 谢红云路志义霍文娟丁春宝刘波宇张东晖张万荣
- 关键词：低噪声放大器超宽带增益平坦化
- 基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计被引量：4
- 2012年
- 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
- 丁春宝张万荣金冬月谢红云陈亮沈佩张东晖刘波宇周永强郭振杰
