魏碧华
- 作品数：16 被引量：43H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学电气工程更多>>
- W波段三路合成GaN功率放大器MMIC被引量：2
- 2021年
- 基于GaN HEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC。利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC。该芯片的制作采用了0.1μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50μm厚的SiC。芯片为三级级联拓扑结构,采用高低阻抗传输线、介质电容等进行匹配和偏置电路设计,实现低损耗输出,芯片尺寸为3.37 mm×3.53 mm×0.05 mm。测试结果表明,在漏源工作电压15 V、88~92 GHz频率范围内,该MMIC的线性增益大于15 dB,饱和输出功率大于3 W。该MMIC具有功率大、输入输出回波损耗小及应用范围广的优势。
- 刘如青张力江魏碧华何健
- 关键词：W波段功率放大器
- 适合批量生产的GaAs数字IC背面金属化工艺
- 2005年
- 当前,I C 逐步向高集成度、高密度、多功能方向发展,管芯尺寸也在增大;剪切力是器件考核的基本项目,随管芯面积的增大而增大,这就对背面金属化可靠性提出了较高的要求。本文通过分析、实验、分析改进的方法,提出了适合批量生产又兼顾成本因素的数字背面金属化工艺,使背面金属化性能满足了器件可靠性要求。
- 韩建栋李振京魏碧华姜鹏刘春丽
- 关键词：剪切力
- 2～4 GHz MMIC低噪声放大器被引量：7
- 2014年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。
- 孙艳玲许春良樊渝魏碧华
- 关键词：负反馈
- 基于加电探针的化合物半导体芯片在片测试电路
- 本发明适用于芯片在片测试技术领域，提供了一种基于加电探针的化合物半导体芯片在片测试电路，包括栅极加电探针和漏极加电探针，还包括：开关单元和限压单元；开关单元的第一端与栅极加电探针连接，开关单元的第二端接地，开关单元的第三...
- 宋旭波吕元杰张佩魏碧华冯志红
- 文献传递
- 在片高低温S参数TRL校准件的研制
- 2017年
- 为了经济有效地提高在片高低温S参数试验系统的准确度,设计制作了在片高低温TRL校准件.首先,总结了目前常用的3种在片高低温S参数校准方法的具体做法和不足;其次,介绍了TRL校准件的设计和定义的方法;然后,阐述了校准件的使用方法;最后,通过相关试验,对该校准件的校准效果进行了验证,结果表明,该方法的测量效果较为理想,具有一定的推广使用价值.
- 魏碧华刘晨孙静何健
- 关键词：S参数校准
- 9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量：7
- 2017年
- 基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模型实现了最优输入输出阻抗匹配;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为2.5 mm×1.1 mm。芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的35%、漏压为5 V的条件下,在9~15 GHz频率内,MMIC功率放大器小信号增益大于20 dB,1 dB压缩点输出功率不小于27 dBm,功率附加效率不小于35%,功率回退至19 dBm时三阶交调不大于-37 dBc。
- 魏碧华蔡道民武继斌
- 关键词：功率放大器GAAS
- W波段InP HEMT MMIC功率放大器被引量：6
- 2016年
- 基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件的超深亚微米T型栅,并采用神经网络模型对器件进行精确建模。电路采用4级级联提高电路的增益,末级采用4胞并联器件有效地分散热源。采用全波电磁场仿真技术设计电路版图有效降低芯片内部的电磁耦合。芯片采用在片脉冲测试,测试结果显示,在脉宽为10μs、占空比为10%、栅压为-0.15V和漏极电压为2V条件下,92~97GHz频率内功率放大器的小信号增益大于15dB,频率为94GHz时的输出功率达到300mW。
- 冯威刘如青胡志富魏碧华
- 关键词：W波段功率放大器INPHEMT
- 纳电子器件谐振隧道二极管的研制被引量：3
- 2002年
- 采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6
- 梁惠来赵振波郭维廉张世林牛萍娟杨中月郝景臣张豫黔王文君魏碧华周均铭王文新
- 关键词：纳米电子器件砷化镓
- 基于加电探针的化合物半导体芯片在片测试电路
- 本发明适用于芯片在片测试技术领域，提供了一种基于加电探针的化合物半导体芯片在片测试电路，包括栅极加电探针和漏极加电探针，还包括：开关单元和限压单元；开关单元的第一端与栅极加电探针连接，开关单元的第二端接地，开关单元的第三...
- 宋旭波吕元杰张佩魏碧华冯志红
- 电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT
- 2017年
- 研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。
- 宋旭波吕元杰刘晨魏碧华房玉龙韩婷婷冯志红
