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程凯芳

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 6篇金属学及工艺

主题

  • 15篇相变存储
  • 15篇相变存储器
  • 15篇存储器
  • 12篇淀积
  • 12篇纳米
  • 11篇相变材料
  • 11篇纳米尺寸
  • 9篇抛光
  • 9篇抛光表面
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 6篇金属
  • 4篇割断
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇绝缘
  • 3篇绝缘材料
  • 3篇插塞
  • 2篇电极
  • 2篇叠层
  • 2篇气相淀积

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇杨富华
  • 17篇程凯芳
  • 17篇王晓东
  • 16篇张加勇
  • 16篇马慧莉
  • 1篇刘雯
  • 1篇季安
  • 1篇马慧丽
  • 1篇徐锐

年份

  • 6篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
垂直相变存储器及制备方法
一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
文献传递
垂直相变存储器及制备方法
一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
文献传递
相变存储器的制作方法
一种相变存储器的制作方法，该方法包括：步骤1：在衬底上淀积一层第一绝缘材料层；步骤2：在第一绝缘材料层上淀积一层金属层，作为相变存储器的下电极；步骤3：在金属层上制备一层第二绝缘材料层；步骤4：在第二绝缘材料层上采用微纳...
马慧莉王晓峰张加勇程凯芳王晓东季安杨富华
文献传递
平面相变存储器的制备方法
一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
一种高密度相变存储器的制备方法
一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周...
程凯芳王晓峰王晓东张加勇马慧莉杨富华
垂直相变存储器的制备方法
一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
一种平面相变存储器的制备方法
一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法
本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO<Sub>2</Sub>进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴...
刘雯王晓东程凯芳马慧丽王晓峰徐锐杨富华
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一种平面相变存储器的制备方法
一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙...
张加勇王晓峰马慧莉程凯芳王晓东杨富华
一种高密度相变存储器的制备方法
一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周...
程凯芳王晓峰王晓东张加勇马慧莉杨富华
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